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公开(公告)号：CN113548873B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110934329.5
申请日：2021-08-13
Applicant: 新乡学院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种锰钴氧化物陶瓷材料的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：S1、按照化学计量比计算不同掺杂组分Mn1+xCo2‑xO4尖晶石所需MnO2和Co2O3高纯氧化物原料的质量；S2、将MnO2和Co2O3高纯氧化物原料球磨，烘干，在900‑950℃条件下预烧20‑24h；S3、将步骤S2预烧后的产物重复进行球磨、烘干和预烧；S4、将粘结剂和步骤S3预烧后的产物混合，研磨均匀，采用压片机压片成型；S5、将步骤S4中的压片在550‑600℃条件下煅烧，除去粘结剂；S6、然后在1050‑1100℃条件下烧结20‑24h，得到Mn1+xCo2‑xO4尖晶石，其中，0≤x≤0.25。所述制备方法能够制备出性能优良的陶瓷样品，表现出纯相立方尖晶石结构，致密性高，亚铁磁居里温度较高，磁熵变值也较大。
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公开(公告)号：CN105562134A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510937683.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 新乡学院
Abstract: 本发明公开了一种综合物理实验台，包括：实验台面和多个储物柜，所述实验台面上设置有至少一个电源插座，所述实验台面上还设置有计算机和路由器，路由器和网络端口连接，计算机和路由器连接，储物柜中放置有综合物理实验装置，所述实验台面上设有一凹槽，凹槽内设有一活动板，活动板上表面与实验台面平齐，活动板一侧与实验台面活动连接，这种综合物理实验台，学生可以根据要解决问题的需求进行综合性实验，能启发和提升学生的自主创新能力。
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公开(公告)号：CN114300070A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111647582.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 新乡学院
Abstract: 本发明公开了一种液晶材料双折射率计算方法及一种太赫兹大双折射率液晶材料的分子设计方法；涉及液晶材料技术领域；解决现有技术中太赫兹液晶材料的双折射率计算方法不够精确，导致太赫兹大双折射率液晶材料的分子设计方法不够精确的技术问题；所述液晶材料双折射率计算方法基于改进后的Vuks方程，不依赖任何经验参数，更加精确；所述分子设计方法包括以下步骤：建立待计算液晶材料的分子结构并进行DFT基态优化得到稳定构型，以此为基础进行Vuks计算和极化率密度分析，进而设计出具有大双折射率的液晶材料；所述液晶材料双折射率计算方法和所述分子设计方法适用于设计在太赫兹波段具有较大双折射率Δn的液晶材料，精确性较高，实用性较强。
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公开(公告)号：CN113548873A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110934329.5
申请日：2021-08-13
Applicant: 新乡学院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种锰钴氧化物陶瓷材料的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：S1、按照化学计量比计算不同掺杂组分Mn1+xCo2‑xO4尖晶石所需MnO2和Co2O3高纯氧化物原料的质量；S2、将MnO2和Co2O3高纯氧化物原料球磨，烘干，在900‑950℃条件下预烧20‑24h；S3、将步骤S2预烧后的产物重复进行球磨、烘干和预烧；S4、将粘结剂和步骤S3预烧后的产物混合，研磨均匀，采用压片机压片成型；S5、将步骤S4中的压片在550‑600℃条件下煅烧，除去粘结剂；S6、然后在1050‑1100℃条件下烧结20‑24h，得到Mn1+xCo2‑xO4尖晶石，其中，0≤x≤0.25。所述制备方法能够制备出性能优良的陶瓷样品，表现出纯相立方尖晶石结构，致密性高，亚铁磁居里温度较高，磁熵变值也较大。
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