公开(公告)号：CN103430281A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280013566.7

申请日：2012-01-23

Applicant: 新东工业株式会社

Inventor： 井上巧一 ,  涩谷纪仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供一种用于半导体元件的基板的处理方法，该方法用于向基板施加喷射处理，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该处理方法包括以下步骤：向与第一表面相对的第二表面施加喷射处理，在所述第一表面上，形成或者将要形成化合物半导体膜。

公开(公告)号：CN103503112B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280021323.8

申请日：2012-07-13

Applicant: 新东工业株式会社

Inventor： 井上巧一 ,  前田和良 ,  涩谷纪仁

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6838 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L33/0095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体元件用基板的弯曲矫正装置及弯曲矫正方法。该弯曲矫正装置具备：喷射机构，其包含进行喷射处理的喷嘴；吸附台，其在主面侧或成膜面侧吸附并保持半导体元件用基板；移动机构，其按照使半导体元件用基板相对于由喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域而相对移动的方式使吸附台移动；喷射处理室，其收容被保持于吸附台的半导体元件用基板，且在内部进行喷射处理；测定机构，其测定半导体元件用基板的弯曲；及控制装置，其基于目标弯曲量与由测定机构测定出的弯曲量之差，进行喷射机构的喷射处理条件的设定处理及已进行了喷射处理的半导体元件用基板是否合格的判断中的至少一方。

公开(公告)号：CN116408730A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211661241.1

申请日：2022-12-23

Applicant: 新东工业株式会社

Inventor： 涩谷纪仁 ,  西嶋仁 ,  前田和良 ,  日比野一路 ,  西尾壮一朗 ,  井上巧一

IPC: B24C1/04 ,  B28D5/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

Abstract: 硬质脆性材料制部件的制造方法包括：准备由硬质脆性材料构成的基材的工序；和对基材实施凹凸加工的工序，通过凹凸加工，在基材形成向第一方向突出的凸部和包围凸部的底面，底面在由与第一方向交叉的第二方向和与第一方向及第二方向交叉的第三方向规定的平面扩展，在由第一方向及第二方向规定的截面中，在将第一方向设为z、将第二方向设为x的情况下，底面和与底面相连的凸部的侧面满足z＝Ax2－Bx的关系，A为0.005～0.200，B为0.050～0.955。

公开(公告)号：CN113118974A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011125004.4

申请日：2020-10-20

Applicant: 新东工业株式会社

Inventor： 井上巧一

IPC: B24C1/00 ,  B24C3/02 ,  B24C9/00

Abstract: 本发明提供能够提高加工精度的喷丸加工装置以及喷丸加工方法。喷丸加工装置(10)具备载置工件(W)的工作台(12)、朝工件的表面喷射喷射材料(M)的喷嘴(13)、移动机构(15)和旋转机构(14)。移动机构(15)进行第一扫描处理和第二扫描处理，在第一扫描处理中，在喷嘴喷射喷射材料的状态下，使喷嘴(13)相对于工件(W)在表面上的第一方向相对地移动，在第二扫描处理中，在喷嘴(13)喷射喷射材料的状态下，使喷嘴相对于工件在表面上的第二方向相对地移动。旋转机构在第一扫描处理与第二扫描处理之间，使工作台以旋转轴(AX)为轴心相对于喷嘴相对地旋转由第一方向和第二方向形成的第一旋转角度。

公开(公告)号：CN103430281B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201280013566.7

申请日：2012-01-23

Applicant: 新东工业株式会社

Inventor： 井上巧一 ,  涩谷纪仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供一种用于半导体元件的基板的处理方法，该方法用于向基板施加喷射处理，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该处理方法包括以下步骤：向与第一表面相对的第二表面施加喷射处理，在所述第一表面上，形成或者将要形成化合物半导体膜。

公开(公告)号：CN103503112A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021323.8

申请日：2012-07-13

Applicant: 新东工业株式会社

Inventor： 井上巧一 ,  前田和良 ,  涩谷纪仁

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6838 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L33/0095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体元件用基板的弯曲矫正装置及弯曲矫正方法。该弯曲矫正装置具备：喷射机构，其包含进行喷射处理的喷嘴；吸附台，其在主面侧或成膜面侧吸附并保持半导体元件用基板；移动机构，其按照使半导体元件用基板相对于由喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域而相对移动的方式使吸附台移动；喷射处理室，其收容被保持于吸附台的半导体元件用基板，且在内部进行喷射处理；测定机构，其测定半导体元件用基板的弯曲；及控制装置，其基于目标弯曲量与由测定机构测定出的弯曲量之差，进行喷射机构的喷射处理条件的设定处理及已进行了喷射处理的半导体元件用基板是否合格的判断中的至少一方。