公开(公告)号：CN100338703C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN02138023.6

申请日：2002-07-24

申请人： 扬州宏远电子有限公司

发明人： 汪衍 ,  马坤松

IPC分类号： H01G9/055 ,  C25F3/04

摘要： 35Vw和50Vw高比容低接触电阻阳极箔生产工艺，涉及一种光铝箔的生产方法。主要特点是蚀孔引发时采用30～50Hz的正弦波，在交流腐蚀时腐蚀液为以盐酸为主，硝酸、磷酸、草酸为辅，并添加缓蚀剂，腐蚀液的温度为30～50℃。通过上述工艺改进，引发出的孔洞较为理想，能有效地阻止深度腐蚀，使腐蚀在箔的浅表面上进行，消除了因蚀孔吞并而减小扩面的现象，大大增加了腐蚀箔的有效面积，既可使腐蚀蚀孔面积最佳，又利于生产控制。生产的光铝箔具有比容高、接触电阻小的特点，满足了生产高性能铝电解电容器对阳极箔的要求。

公开(公告)号：CN1391243A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02138023.6

申请日：2002-07-24

申请人： 扬州宏远电子有限公司

发明人： 汪衍 ,  马坤松

IPC分类号： H01G9/055 ,  C25F3/04

摘要： 本发明涉及一种光铝箔的生产方法。主要特点是蚀孔引发时采用30～50Hz的正弦波，在交流腐蚀时腐蚀液为以盐酸为主，硝酸、磷酸、草酸为辅，并添加高效缓蚀剂，腐蚀液的温度为30～50℃。通过上述工艺改进，引发出的孔洞较为理想，能有效地阻止深度腐蚀，使腐蚀在箔的浅表面上进行，消除了因蚀孔吞并而减小扩面的现象，大大增加了腐蚀箔的有效面积，既可使腐蚀蚀孔面积最佳，又利于生产控制。生产的光铝箔具有比容高、接触电阻小的特点，满足了生产高性能铝电解电容器对阳极箔的要求。