公开(公告)号：CN114280115B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202111421444.9

申请日：2021-11-26

Applicant: 扬州大学

Inventor： 徐琴 ,  沈颖卓 ,  管杰 ,  马诚 ,  舒韵 ,  胡效亚

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种光电化学适配传感器及其制备方法和检测DBP方法，所述光电化学适配传感器包括导电基底、固定在导电基底上的含有钙钛矿相的CTAB@CH3NH3PbI3层、覆盖在CTAB@CH3NH3PbI3层上的适配体ATP层。其中CTAB通过形成保护层并钝化CH3NH3PbI3的X‑和A‑位空位来增强CH3NH3PbI3的光电响应和耐湿性。CTAB还通过阳离子基团和核酸适配体(APT)的磷酸基团之间的静电相互作用来帮助固定核酸适配体。在对DBP进行特异性识别后，DBP适配体由于对引入的DBP具有较强的亲和力而从电极中释放出来，导致光电信号增强。本发明的CH3NH3PbI3具有良好的光电化学特性和适配体的特异性识别能力，制(56)对比文件庄玉娇;巫仙群;王宇蕊;文勉;罗贵铃;孙伟;牛燕燕.基于纳米TiO_2和金纳米星的光电化学适配体传感器检测Hg~(2+)的研究.分析科学学报.2020,(01),116-120.

公开(公告)号：CN114280115A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111421444.9

申请日：2021-11-26

Applicant: 扬州大学

Inventor： 徐琴 ,  沈颖卓 ,  管杰 ,  马诚 ,  舒韵 ,  胡效亚

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种光电化学适配传感器及其制备方法和检测DBP方法，所述光电化学适配传感器包括导电基底、固定在导电基底上的含有钙钛矿相的CTAB@CH3NH3PbI3层、覆盖在CTAB@CH3NH3PbI3层上的适配体ATP层。其中CTAB通过形成保护层并钝化CH3NH3PbI3的X‑和A‑位空位来增强CH3NH3PbI3的光电响应和耐湿性。CTAB还通过阳离子基团和核酸适配体(APT)的磷酸基团之间的静电相互作用来帮助固定核酸适配体。在对DBP进行特异性识别后，DBP适配体由于对引入的DBP具有较强的亲和力而从电极中释放出来，导致光电信号增强。本发明的CH3NH3PbI3具有良好的光电化学特性和适配体的特异性识别能力，制备的PEC传感器的线性范围为0.1pmol·L‑1‑10nmol·L‑1，检出限和定量限分别低至2.5×10‑14M和8.2×10‑14M(S/N＝3)。