公开(公告)号：CN102332325A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110309719.X

申请日：2011-10-13

Applicant: 扬州大学

Inventor： 何军辉 ,  张春伟 ,  刘拥军

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法，将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。本发明工艺简单，采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能，通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性，在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。

公开(公告)号：CN102332325B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110309719.X

申请日：2011-10-13

Applicant: 扬州大学

Inventor： 何军辉 ,  张春伟 ,  刘拥军

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法，将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。本发明工艺简单，采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能，通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性，在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。