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公开(公告)号：CN100390248C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610037630.1
申请日：2006-01-06
Applicant: 扬州大学
IPC: C09K11/08
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法。本发明选取醋酸锌粉末到双氧水中搅拌溶解，调节其pH值约为8～11，放入密闭高压反应釜中，在190～200℃及自身压力下水热反应12～18小时，晶化产物经抽滤后用去离子水洗涤，干燥，即得所需产物。解决了模板法工艺复杂、条件苛刻、成本高、提纯难且大小受限于模板尺寸等和化学气相沉积法需贵金属催化剂，设备昂贵、能耗较高，难以控制，重复性不好，产率低、颗粒大，难以规模化生产等缺陷。本发明原料便宜、无毒、无污染，无须模板和催化剂，工艺简化，成本低，易于规模化生产，产品纯六方相、粒径分布范围窄、具有优良光致发光性能的ZnO纳米囊，无其它有机物和金属离子污染。
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公开(公告)号：CN1792810A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510122705.1
申请日：2005-11-30
Applicant: 扬州大学
IPC: C01G11/00
Abstract: 本发明涉及电池活性材料CdO纳米粉制备方法。本发明将硫酸镉粉末加入到双氧水溶液中充分搅拌溶解，调节其pH值约为8～13，放入高压反应釜中，在40～100℃及自身压力下水热反应0.5～12h，将固体产物抽滤，用蒸馏水洗涤，干燥，得到前驱体过氧化镉(CdO2)纳米粉，再将其在200～300℃中温下灼烧2～12h，得CdO纳米粉产物。解决了金属镉蒸发氧化法反应温度高，产品结构和组成上的不均匀性、颗粒粗大，且造成镉镍电池性能不稳定、质量不高，克服了胶体化学方法容易包覆有机溶剂和表面活性剂，难以获得纯度高和结晶性好的产品，且原料价格昂贵，不易获得，及生产工艺复杂、条件苛刻等缺陷。采用本发明的粒径均一纯立方晶体结构的CdO纳米粉末制造的镉镍电池性能优越、质量稳定。
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公开(公告)号：CN100363263C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510122705.1
申请日：2005-11-30
Applicant: 扬州大学
IPC: C01G11/00
Abstract: 本发明涉及电池活性材料CdO纳米粉制备方法。本发明将硫酸镉粉末加入到双氧水溶液中充分搅拌溶解，调节其pH值约为8～13，放入高压反应釜中，在40～100℃及自身压力下水热反应0.5～12h，将固体产物抽滤，用蒸馏水洗涤，干燥，得到前驱体过氧化镉(CdO2)纳米粉，再将其在200～300℃中温下灼烧2～12h，得CdO纳米粉产物。解决了金属镉蒸发氧化法反应温度高，产品结构和组成上的不均匀性、颗粒粗大，且造成镉镍电池性能不稳定、质量不高，克服了胶体化学方法容易包覆有机溶剂和表面活性剂，难以获得纯度高和结晶性好的产品，且原料价格昂贵，不易获得，及生产工艺复杂、条件苛刻等缺陷。采用本发明的粒径均一纯立方晶体结构的CdO纳米粉末制造的镉镍电池性能优越、质量稳定。
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公开(公告)号：CN1818013A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610037630.1
申请日：2006-01-06
Applicant: 扬州大学
IPC: C09K11/08
Abstract: 本发明涉及一种高品质半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法。本发明选取醋酸锌粉末到双氧水中搅拌溶解，调节其pH值约为8～11，放入密闭高压反应釜中，在190～200℃及自身压力下水热反应12～18小时，晶化产物经抽滤后用去离子水洗涤，干燥，即得所需产物。解决了模板法工艺复杂、条件苛刻、成本高、提纯难且大小受限于模板尺寸等和化学气相沉积法需贵金属催化剂，设备昂贵、能耗较高，难以控制，重复性不好，产率低、颗粒大，难以规模化生产等缺陷。本发明原料便宜、无毒、无污染，无须模板和催化剂，工艺简化，成本低，易于规模化生产，产品纯六方相、粒径分布范围窄、具有优良光致发光性能的ZnO纳米囊，无其它有机物和金属离子污染。
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