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公开(公告)号：CN1825104A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610039071.8
申请日：2006-03-21
Applicant: 扬州大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种制备高度有序的铂纳米孔阵列电极的方法，其特征是先将铂电极表面用超细Al2O3悬浮液在丝绸上抛光，再在二次蒸馏水中超声清洗2－5分钟后，用高纯氮气吹干，然后将浓度0.001－0.01g·mL－1的PS－b－PAA/THF溶液旋转涂覆在铂电极表面，在5－30℃的室温下，保持湿度为50－95％，待THF完全挥发后，电极表面形成微米级厚度的高度有序多孔膜，即制得高度有序的铂纳米孔阵列电极。本发明的制备方法简单、科学，不需要使用光刻、模板、降解和真空干燥、高强电场等手段，制得的阵列电极孔径均一、排布有序、均匀，且电极表现良好的超微电极性能。可用于制备新型超微阵列化学传感器、生物传感器，有很好的推广应用价值和市场前景。
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