一种低巴伦误差、高线性低噪声宽带放大器

    公开(公告)号:CN119696521A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411739555.8

    申请日:2024-11-29

    Abstract: 本发明一种低巴伦误差、高线性低噪声宽带放大器,包括:输入端、共源级放大器、差分电流平衡器、OTA、负载电路、增强型源极跟随器;输入信号从P1端口进来,进入第一共源级放大器,一路信号进入差分电流平衡器,另一路信号进入第二共源级放大器,进入差分电流平衡器;两路信号传递到P5、P6端口输出差分信号;OTA通过检测P5、P6共模电平,反馈控制负载电路的偏置电平从而调节gds高阶非线性,补偿源极跟随器和主共源级放大器失真分量的抵消残留,实现高线性,通过三重巴伦误差纠正技术降低巴伦误差。本发明实现了工作频率范围在0.2GHz至6GHz,具有低巴伦误差、高线性度、低噪声的性能。

    一种频率可调谐的集成有源双工器

    公开(公告)号:CN119051627A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411221854.2

    申请日:2024-09-02

    Abstract: 本发明一种频率可调谐的集成有源双工器,包括:电平衡混合耦合器、N‑path滤波器、功分器、天线;N‑path滤波器包括N‑path带通滤波器、N‑path带阻滤波器;通过采用电平衡混合耦合器连接N‑path滤波器的架构,实现了接收信号从天线端口进来,进入电平衡混合耦合器经P2、P3端口的传递和双路N‑path滤波器反射,最后传递到P4端口进入接收机;实现了发射信号从功分器F端口进入,E、G端口输出,经过N‑path滤波器进入电平衡混合耦合器经P2、P3端口,并经P1端口到天线发射出去。本发明实现了发射/接收频率在0.8GHz至1.5GHz范围内可调谐,电平衡混合耦合器采用电容变压器桥接结构,配合N‑path带通滤波器、带阻滤波器的级联实现了收发信号的高Tx‑Rx隔离度、低插入损耗、频率灵活调谐性能。

    一种线性度增强的CMOS混频器电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117749103A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311488736.3

    申请日:2023-11-09

    Abstract: 本发明公开一种线性度增强的CMOS混频器电路,应用于射频集成电路领域,具体的公开了一种线性度增强的CMOS混频器电路,包括射频跨导输入级、本振开关输入级、中频输出负载级、有源阻抗级。本发明使用CMOS互补的射频输入跨导级,获得电流复用和注入双重效果,降低混频器的功耗和噪声;使用反相器和电容的组合形成有源感抗,来吸收开关管尾结点的寄生电容,减小电感的直接使用带来的版图面积过大的问题;使用电容交叉耦合的有源负阻级来补偿尾结点的有限阻;有源负阻级、感抗级组合成为有源阻抗级,可以提高混频器电路的线性度。

    CMOS电流复用型自振荡接收机前端

    公开(公告)号:CN115632670A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211227474.0

    申请日:2022-10-09

    Abstract: 本发明公开了CMOS电流复用型自振荡接收机前端,包括低噪声跨导放大电路和混频器,以及正交压控振荡器;所述低噪声跨导放大电路Gm的输入端分别为Vin+和Vin‑;所述混频器包括第一混频器和第二混频器;所述低噪声跨导放大电路Gm的输出端V1与第一混频器的输入端Vm1和第二混频器的输入端Vm3,以及正交压控振荡器QVCO的输入端VQ1连接,所述低噪声跨导放大电路Gm的输出端V2和第一混频器的输入端Vm2,与第二混频器的输入端Vm4和正交压控振荡器QVCO的输入端VQ2连接。本发明跨导器的电流被混频器、振荡器重复使用,显著降低了功耗。

    一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路

    公开(公告)号:CN112383280B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202011357004.7

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路,由变压器构成的跨导增益级电路、信号放大级电路,信号放大级电路采用MOS管堆叠拓扑结构,信号放大级电路包括第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路,第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路并联;射频输入信号分别从信号放大级电路输入,通过所述的由变压器的跨导增益级电路进行初步无源电压增大,使得在低的偏置电流下获得高的跨导增益;经过初步无源放大的电压信号,输入至信号放大电路进行进一步电压信号放大;经过放大后的电压信号作为输出信号经谐振电路输出,使工作频段调整到Ku波段。本发明可以显著降低LNA的功耗,同时可以获得较高的增益,以及较低的噪声系数。

    一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路

    公开(公告)号:CN112383280A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011357004.7

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路,由变压器构成的跨导增益级电路、信号放大级电路,信号放大级电路采用MOS管堆叠拓扑结构,信号放大级电路包括第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路,第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路并联;射频输入信号分别从信号放大级电路输入,通过所述的由变压器的跨导增益级电路进行初步无源电压增大,使得在低的偏置电流下获得高的跨导增益;经过初步无源放大的电压信号,输入至信号放大电路进行进一步电压信号放大;经过放大后的电压信号作为输出信号经谐振电路输出,使工作频段调整到Ku波段。本发明可以显著降低LNA的功耗,同时可以获得较高的增益,以及较低的噪声系数。

    一种CMOS低失真低噪声放大器电路

    公开(公告)号:CN111934627A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010830059.9

    申请日:2020-08-18

    Abstract: 本发明公开一种CMOS低失真低噪声放大器电路,应用于射频集成电路领域,针对现有技术中放大器电路的三阶交调线性度在0dBm以下,也难于应对大信号干扰环境的问题;本发明的跨导输入级采用互补共源级结构,使得电流效率加倍;线性提高级采用互补共射级来改善互补共源级的小信号线性度;反馈级采用源随器解决非线性有源反馈的二阶相互作用问题;片外元件与输入寄生电容构成π型匹配网络增强输入匹配带宽,从而避免使用片上大容量电感;共模反馈电路则通过检测低噪放电路的输出端口的共模电压,并与参考电压进行比较,得到的误差信号通过偏置电阻反馈连接到Mp1、Mp2的栅极,进行动态调整,使得电路工作在稳定的直流工作点。

    一种硅基毫米波接收前端电路

    公开(公告)号:CN111865221A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010829675.2

    申请日:2020-08-18

    Abstract: 本发明公开一种硅基毫米波接收前端电路,应用于射频集成电路领域,为解决现有技术中存在的功耗高,成本高,性能差的问题;本发明包括:共源共栅低噪声放大器、跨导输入级、正交耦合级、开关混频级和输出负载级,本发明通过在混频器部分设计正交耦合级,实现了接收前端两路输出信号大小相等,相位差90度,同时线性度得到改善,并且使用同一个混频器实现两路输出,这也降低了功耗。

Patent Agency Ranking