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公开(公告)号：CN115632670A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211227474.0
申请日：2022-10-09
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了CMOS电流复用型自振荡接收机前端，包括低噪声跨导放大电路和混频器，以及正交压控振荡器；所述低噪声跨导放大电路Gm的输入端分别为Vin+和Vin‑；所述混频器包括第一混频器和第二混频器；所述低噪声跨导放大电路Gm的输出端V1与第一混频器的输入端Vm1和第二混频器的输入端Vm3，以及正交压控振荡器QVCO的输入端VQ1连接，所述低噪声跨导放大电路Gm的输出端V2和第一混频器的输入端Vm2，与第二混频器的输入端Vm4和正交压控振荡器QVCO的输入端VQ2连接。本发明跨导器的电流被混频器、振荡器重复使用，显著降低了功耗。
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公开(公告)号：CN114124123B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111362252.5
申请日：2021-11-17
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开一种宽带集成CMOS全局反馈接收机前端电路，应用于射频集成电路领域，针对现有技术中片外巴伦和匹配元器件存在的损耗大、体积大、带宽有限，不利于单片集成的缺点；本发明的电路包括四个无源混频器；输入射频信号经过输入跨导放大器转换为电流信号，再经过第二混频器得到基带电流信号，基带电流信号经过第一跨阻放大器得到基带电压输出信号BBI；同时，BBI经过第一无源混频器的上变频，再经有源合路器反馈到跨导放大器输入端，从而获得了全局反馈下的输入端口阻抗匹配；类似地，第三无源混频器第二跨阻放大器得到基带电压信号BBQ，BBQ经过第四无源混频器的上变频，再经过有源合路器反馈到跨导放大器输入端。
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公开(公告)号：CN114124123A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111362252.5
申请日：2021-11-17
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开一种宽带集成CMOS全局反馈接收机前端电路，应用于射频集成电路领域，针对现有技术中片外巴伦和匹配元器件存在的损耗大、体积大、带宽有限，不利于单片集成的缺点；本发明的电路包括四个无源混频器；输入射频信号经过输入跨导放大器转换为电流信号，再经过第二混频器得到基带电流信号，基带电流信号经过第一跨阻放大器得到基带电压输出信号BBI；同时，BBI经过第一无源混频器的上变频，再经有源合路器反馈到跨导放大器输入端，从而获得了全局反馈下的输入端口阻抗匹配；类似地，第三无源混频器第二跨阻放大器得到基带电压信号BBQ，BBQ经过第四无源混频器的上变频，再经过有源合路器反馈到跨导放大器输入端。
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公开(公告)号：CN116488582A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310412455.3
申请日：2023-04-18
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： H03B5/12
摘要： 本发明公开了一种基于变压器耦合的正交压控振荡器，包括若干个由NMOS管或PMOS管堆叠的F类VOC内核、开关阵列结构、三线圈耦合变压器、四个尾电流源，以及VOC内核的输出端口Voi+/Voi‑和Voq+/Voq‑；本发明基于三线圈耦合的本发明振荡器具体为12个VCO内核的立体结构，提供四路正交振荡输出信号，Voi+/Voi‑Voq+/Voq‑和低相位噪声性能；栅极、漏极的三线圈耦合使得振荡器工作在F类状态。此外，在单个振荡器差分对的尾节点使用了变压器来吸收该节点的寄生电容，等效谐振在2f0频率，避免相位噪声的退化，以及通过同向、反向耦合设置，获得了振荡器的正交输出特征，并可采用电压比特控制的电容阵列获得振荡器频率的粗调谐效果，配合变容管的细调谐效果，获得较宽的频率覆盖。
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公开(公告)号：CN114389629B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210184167.2
申请日：2022-02-24
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明属于射频集成电路领域，具体涉及一种CMOS射频接收机的前端电路，包括：第一无源混频器、第二无源混频器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器。输入的射频信号由端口VRF+和VRF‑双端输入，第一路信号经过第一无源混频器的输入端与输入本振信号LO0/2相乘，得到一个中频的基带差分电流信号，基带差分电流信号经过第一跨阻放大器得到I路的基带电压输出信号VBDI。类似地，第二无源混频器、第二跨阻放大器在差分本振信号LO1/3驱动下，得到Q路的基带电压信号VBDQ。该CMOS集成接收机前端实现了200MHz的基带带宽，且具有60dB/dec的高带外衰减度。
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公开(公告)号：CN114650073B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210399185.2
申请日：2022-04-15
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明属于射频集成电路技术领域，具体涉及一种射频接收机的线性化校正方法及装置。本发明，包括：射频接收机、有源合路器、二阶互调分量发生器、幅度调节器、相位调节器、基带乘法器、模拟开关；输入差分射频信号经过主路径和校正支路的放大处理，得到差分线性基带信号输出；在校正支路中，由二阶互调分量发生器将输入射频信号转化为二阶互调产物，并进行幅度相位的调理，然后与主路径接收机的输出信号做乘法运算得到调理后的三阶互调失真分量；此三阶互调失真分量与接收机输出信号中的三阶失真分量经过有源合路器的叠加而在最后的输出信号中抵消。本发明抑制了信号中的失真，提升了线性基频项，实现了更高的信噪比和通信效果。
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公开(公告)号：CN114389629A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210184167.2
申请日：2022-02-24
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明属于射频集成电路领域，具体涉及一种CMOS射频接收机的前端电路，包括：第一无源混频器、第二无源混频器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器。输入的射频信号由端口VRF+和VRF‑双端输入，第一路信号经过第一无源混频器的输入端与输入本振信号LO0/2相乘，得到一个中频的基带差分电流信号，基带差分电流信号经过第一跨阻放大器得到I路的基带电压输出信号VBDI。类似地，第二无源混频器、第二跨阻放大器在差分本振信号LO1/3驱动下，得到Q路的基带电压信号VBDQ。该CMOS集成接收机前端实现了200MHz的基带带宽，且具有60dB/dec的高带外衰减度。
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公开(公告)号：CN118117968A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311488738.2
申请日：2023-11-09
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开一种硅基毫米波信号源电路，应用于射频集成电路领域，具体的一种硅基毫米波信号源电路，包括2个VCO核、1个频率倍增电路，以及1个放大器；所述VCO输出的双端信号转为单端信号输入频率倍增电路，实现工作频率加倍，输出差分信号通过变压器耦合到放大器，信号做幅度补偿放大到接近VCO输出的信号幅度，最终输出微波信号Vo+、Vo‑。本发明采用电压比特控制的电容阵列获得振荡器频率的粗调谐效果，配合变容管的细调谐效果，获得较宽的频率覆盖，后级连接频率倍增电路，获得两倍于输入频率的差分信号输出，工作频率为2f0，末级接变压器耦合式放大器，补偿频率倍增电路的信号插损，最终输出差分毫米波信号Vo+、Vo‑。
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公开(公告)号：CN115296679A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210724715.6
申请日：2022-06-24
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种CMOS低功耗、抗干扰接收机前端电路，包括共栅输入级、混频器内嵌电流镜、有源反馈路径，以及跨阻放大器；输入的射频信号由端口Vin+和端口Vin‑双端输入，经过共栅输入级放大转换为电流，由混频器内嵌的电流镜进行混频并放大传输给基带的跨阻放大器。本发明提出一种带有主动反馈BB的接收器前端，包含了共栅输入级、电流镜内嵌无源混频器、有源反馈路径、级联跨阻放大器等电路；提供有效的信道滤波以克服带外干扰，电压模式的无源混频器工作显著降低了对LO电路的功耗要求。
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公开(公告)号：CN114650073A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210399185.2
申请日：2022-04-15
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明属于射频集成电路技术领域，具体涉及一种射频接收机的线性化校正方法及装置。本发明，包括：射频接收机、有源合路器、二阶互调分量发生器、幅度调节器、相位调节器、基带乘法器、模拟开关；输入差分射频信号经过主路径和校正支路的放大处理，得到差分线性基带信号输出；在校正支路中，由二阶互调分量发生器将输入射频信号转化为二阶互调产物，并进行幅度相位的调理，然后与主路径接收机的输出信号做乘法运算得到调理后的三阶互调失真分量；此三阶互调失真分量与接收机输出信号中的三阶失真分量经过有源合路器的叠加而在最后的输出信号中抵消。本发明抑制了信号中的失真，提升了线性基频项，实现了更高的信噪比和通信效果。
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