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公开(公告)号：CN111431490B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010382472.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种用于流水线ADC的全差分放大器，包括：电压偏置电路、差分型放大器本体电路和开关电容共模反馈电路；通过差分型放大器本体电路的全差分的结构设计，提高信噪比，降低增益带宽积的需求，从而降低功耗，节能；通过开关电容共模反馈电路为差分型放大器本体电路提供共模反馈，使其具备高增益；通过电压偏置电路为差分型放大器本体电路提供稳定的电压偏置；相比于传统技术，还具有输入摆幅范围大，输出摆幅范围大和线性度高的优点。
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公开(公告)号：CN117322894B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311525053.0
申请日：2023-11-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种采用双通道复用技术的脑电采集模拟前端电路，涉及逻辑电路技术，包括依次连接的缓冲器、通道复用电路、跨导放大器电路、跨阻放大器电路、复用解调电路、程控增益放大器以及有源低通滤波器。本发明可以抑制电极组织阻抗产生的运动伪影和噪声，同时能够进行程控增益调节，避免输入信号放大后失真或衰减；并且在不减少前端通道数量的前提下有效降低电极芯片的功耗。
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公开(公告)号：CN109817460B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201910291754.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种可调叠层陶瓷电容器，包括陶瓷基体和滑块；陶瓷基体内部包括一个上电极和两个以上的下电极；陶瓷基体的一侧开有滑槽，下电极的引出端位于滑槽内壁，上电极的引出端位于陶瓷基体未开槽的一侧，上电极和下电极引出端的外部的陶瓷基体上分别具有金属封端镀层；所述滑槽内有与滑槽配合滑动的滑块，滑块上设置有与下电极引出端接触的第一金属触点和金属封端镀层接触的第二金属触点，上电极作为可调电容固定的极板，通过滑块的移动，选择不同的下电极作为可调电容的另一极板，从而实现陶瓷基体内电容的可调。本发明用一种简单结构实现了单片叠层陶瓷电容的多容值调节，为电子系统的小型化和高密度集成提供了更大的设计空间。
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公开(公告)号：CN108646842B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810776453.1
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路，属于集成电路技术领域。本发明提出的软启动电路的启动过程分为两个阶段：自启动阶段和稳定阶段，自启动阶段中软启动电路的输出电流随着电源电压的增加逐渐增大；稳定阶段中软启动电路的输出电流根据反馈回路进行调整，使得软启动电路的输出电流逐渐增大，不会发生瞬变，最终达到设定的电流值，实现了平稳无过冲的软启动切换。本发明产生的输出电流实现了平稳无过冲的电流切换，有效规避了输出电流过冲的问题，实现了无过冲的软启动的目的；另外由于采用共源共栅电流镜结构减小了对电源电压的依赖，提升了软启动电路的共源抑制比；能够使得基准电压迅速建立，保证了带隙基准源电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN106788280B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201611178239.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 一种低噪高速跨阻放大器，属于电子技术领域。包括采用低输入阻抗、低增益的跨阻放大器的两个电流放大器，第一电流放大器输入端接信号光电管，第二电流放大器输入端接虚拟光电管或浮空处理，在足够宽的带宽下为整体电路提供一部分增益，隔离输入节点的大电容，抑制第一级的噪声；电流镜电流做差电路，其两个输入端分别接两个电流放大器的输出端，将两个电流放大器的输出电流做差，从而实现电路静态工作点的稳定及噪声抵消功能；后级跨阻放大器，其输入端接电流镜做差电路的输出端，可以采用高增益跨阻放大器，在保证高带宽的前提下，为电路提供较大的增益和电路驱动能力。本发明提出的架构可以同时实现低噪声、高带宽和高增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817460A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910291754.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种可调叠层陶瓷电容器，包括陶瓷基体和滑块；陶瓷基体内部包括一个上电极和两个以上的下电极；陶瓷基体的一侧开有滑槽，下电极的引出端位于滑槽内壁，上电极的引出端位于陶瓷基体未开槽的一侧，上电极和下电极引出端的外部的陶瓷基体上分别具有金属封端镀层；所述滑槽内有与滑槽配合滑动的滑块，滑块上设置有与下电极引出端接触的第一金属触点和金属封端镀层接触的第二金属触点，上电极作为可调电容固定的极板，通过滑块的移动，选择不同的下电极作为可调电容的另一极板，从而实现陶瓷基体内电容的可调。本发明用一种简单结构实现了单片叠层陶瓷电容的多容值调节，为电子系统的小型化和高密度集成提供了更大的设计空间。
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公开(公告)号：CN104572543B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201310474375.7
申请日：2013-10-12
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G06F13/40
CPC classification number: Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 一种过采样高速串行接收器，包括一正信号输入端、一负信号输入端、一与所述正信号输入端及所述负信号输入端相连的前置放大器、一与所述前置放大器相连的过采样接收器、一与所述过采样接收器相连的采样时钟产生器、一正信号输出端及一负信号输出端，所述前置放大器将所述正信号输入端及所述负信号输入端输入的差分信号进行放大后输出至所述过采样接收器，所述过采样接收器对所述前置放大器输入的信号进行过采样并放大后输出至所述正信号输出端及所述负信号输出端，所述采样时钟产生器，通过正馈震荡生成高速采样时钟，对接收的差分数据进行过采样。本发明具有高带宽和高增益，可对高速串行数据进行实时过采样，且功耗很低。
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公开(公告)号：CN104579303B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201310474479.8
申请日：2013-10-12
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 一种具有过压保护功能的数据驱动器，包括一第一晶体管、一第二晶体管、一缓冲器、一第一电平转换器、一第二电平转换器、一与第一电平转换器相连的第一电流源、一与第二电平转换器相连的第二电流源、一与第二电流源相连的降压器件、一与第一电流源相连的升压器件、一与缓冲器相连的信号输入端、一与第一晶体管及第二晶体管相连的信号输出端、一与第一电流源、降压器件、第一电平转换器及第一晶体管相连的第一电源端、一与缓冲器相连的第二电源端及一接地端，第一电流源和升压器件为第一电平转换器提供低电位，第二电流源和降压器件为第二电平转换器提供高电位。本发明保证数据驱动管的栅源和栅漏之间不会存在过压。
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公开(公告)号：CN108667293A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810743497.4
申请日：2018-07-09
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 一种适用于电流模BUCK变换器的二次斜坡补偿电路，属于电子电路技术领域。包括自适应电流产生模块、一次斜坡产生模块和二次斜坡产生模块，自适应电流产生模块采集电流模BUCK变换器输入电压的信息，然后产生一个和输入电压成正比的电流信号，即自适应电流；一次斜坡产生模块用于将自适应电流产生模块产生的自适应电流信号转化为一个和时间成正比的电压信号；二次斜坡产生电路由跨导线性环将一次斜坡，即一次斜坡产生模块产生的电压信号转化为二次斜坡。本发明产生的斜坡补偿信号可以确保在全占空比范围内系统环路都能维持稳定并且具有一个固定的品质因数，从而具有快速的瞬态响应特性，同时也解决了小占空比时出现的过补偿问题。
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公开(公告)号：CN105739589B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610310883.5
申请日：2016-05-11
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域技术领域，具体的说涉及一种用于基准电路的温度系数自动修调方法。本发明的方法主要为：通过外围温度控制模块将基准电路的工作温度调至低温工作模式，遍历将5个修调信号的值，并采集相应的基准电路的输出值，通过外围温度控制模块将基准电路的工作温度调至高温工作模式，遍历将5个修调信号的值，并采集相应的基准电路的输出值，用采集获得的高温值减去低温值，并选取最小值对应的控制信号作为修调值。本发明的有益效果为，无需额外参考电压，无需额外复杂的修调操作，能对基准电压各个阶段产生的漂移(包括生产、封装、使用过程中基准源产生的漂移)进行修调。
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