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公开(公告)号：CN114113819B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110974452.X
申请日：2021-08-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R31/00 , G01R31/316 , G01R31/52 , G01R31/74
Abstract: 本公开的实施例涉及电子器件及对应的自测试方法。电子器件(诸如，e‑fuse)包括被配置为设置为一个或多个自测试配置的模拟电路装置。为此，器件具有自测试控制器电路装置，自测试控制器电路装置包括：模拟配置和感测电路，被配置为将模拟电路装置设置为一个或多个自测试配置，并感测在被设置为这种自测试配置的模拟电路装置中出现的测试信号；数据采集电路，配置为采集在模拟感测电路装置处感测到的测试信号并将感测到的测试信号转换为数字；及故障事件检测电路，被配置为对照参考参数检查转换为数字的测试信号。器件包括集成在其中的自测试控制器，自测试控制器被配置为在测试定序器的协调下控制器件的零件或级以配置电路、获取数据和控制测试执行。
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公开(公告)号：CN117277466A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310725058.1
申请日：2023-06-19
Applicant: 意法半导体(中国)投资有限公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC: H02J7/00
Abstract: 一种用于反向电池保护的电路，包括隔离电路和控制电路。隔离电路是被耦接在电子熔断器(E‑fuse)的栅极输出与至少一个外部金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)之间的电路。电子熔断器被耦接在电池电压引脚与外部接地引脚之间，并且还被耦接到微控制器。隔离电路被配置为在电池以反向极性被安装时将栅极输出与至少一个外部MOSFET断开。控制电路被耦接在外部接地引脚与至少一个外部MOSFET之间。控制电路被配置为在电池以反向极性被安装时导通至少一个外部MOSFET。
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公开(公告)号：CN117239858A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310697495.7
申请日：2023-06-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及电容器充电方法、对应电路和设备。在实施例中，电容器经由通过场效应晶体管的漏源电流流路耦合到电荷源。响应于场效应晶体管的栅源电压超过阈值，通过使场效应晶体管选择性导通来对电容进行预充电。场效应晶体管的栅源电压与阈值之间的差值提供了场效应晶体管的过驱动值。场效应晶体管的栅极由可变的栅源电压驱动，其目标是保持恒定的过驱动值。电荷经由场效应晶体管的漏源电流流路从源极可控地转移到电容，避免了不希望的高浪涌电流。
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公开(公告)号：CN114629082A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111518936.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了电流吸收管理电路、对应的系统和方法。用于耦接在电源节点和电负载节点之间的电子熔断器的电流吸收管理，选择性地控制并联在电源节点和电负载节点之间的高电流电子开关和低电流电子开关。高电流电子开关和低电流电子开关被交替地致动，以：在第一模式下，高电流电子开关导通而低电流电子开关断开；并且在第二模式下，高电流电子开关断开而低电流电子开关导通。可以响应于待机状态或感测到电负载中的较低电流而改变到第二模式。相反，可以响应于感测到电负载中的较高电流而改变到第一模式。
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公开(公告)号：CN114113819A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110974452.X
申请日：2021-08-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R31/00 , G01R31/316 , G01R31/52 , G01R31/74
Abstract: 本公开的实施例涉及电子器件及对应的自测试方法。电子器件(诸如，e‑fuse)包括被配置为设置为一个或多个自测试配置的模拟电路装置。为此，器件具有自测试控制器电路装置，自测试控制器电路装置包括：模拟配置和感测电路，被配置为将模拟电路装置设置为一个或多个自测试配置，并感测在被设置为这种自测试配置的模拟电路装置中出现的测试信号；数据采集电路，配置为采集在模拟感测电路装置处感测到的测试信号并将感测到的测试信号转换为数字；及故障事件检测电路，被配置为对照参考参数检查转换为数字的测试信号。器件包括集成在其中的自测试控制器，自测试控制器被配置为在测试定序器的协调下控制器件的零件或级以配置电路、获取数据和控制测试执行。
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