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公开(公告)号：CN101796646B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200880013724.2
申请日：2008-04-25
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: H01S5/341 , B82Y20/00 , H01L31/035281 , H01L31/09 , H01L31/1025 , H01S5/021 , H01S5/125 , H01S5/3412 , H01S5/4031 , H01S5/5018 , H01S5/5072 , H01S2301/14 , Y02E10/50 , Y10S977/762
Abstract: 本发明公开了包括纳米线层、光电探测器和半导体光放大器的基于纳米线的光电子器件(100，200，300，400，500)。该器件包括生长自单晶和/或非单晶表面的纳米线(114，214，324，434，436，560，562)。半导体光放大器包括充当镇流激光器以放大信号波导所携载信号的纳米线阵列。纳米线激光器和光电探测器的实施例包括能够提供不同偏振的水平和竖直纳米线(434，436，562，560)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101103489B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200580046906.6
申请日：2005-11-18
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: H01Q15/0086 , G02F1/0126 , G02F1/29 , H01Q3/44 , Y10T29/4902 , Y10T29/49798
Abstract: 本发明描述了一种用于控制入射电磁辐射(110)的传播的装置(100)，包括复合材料(102)，复合材料具有相对于入射电磁辐射(110)的波长维度小的电磁反应单元(106)。至少一个电磁反应单元(106)的电容和电感特性中的至少一个被时间地控制以允许时间地控制入射电磁辐射(110)在传播通过所述复合材料(106)时所遇到的相关有效折射系数。
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公开(公告)号：CN101027818B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580029042.7
申请日：2005-08-30
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: H01Q3/44 , H01Q15/0086
Abstract: 描述了一种复合材料(100)和相关的方法，该复合材料(100)配置为对工作波长的入射辐射(101)表现出负有效介电常数和/或负有效磁导率，该复合材料由与工作波长有关的小尺寸的电磁活性单元(106)排列而成。每个单元(106)包括由外部提供功率的增益元件(110)，用于增强所述谐振单元(106)对所述波长的入射辐射(101)的谐振响应。
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公开(公告)号：CN101796646A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880013724.2
申请日：2008-04-25
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: H01S5/341 , B82Y20/00 , H01L31/035281 , H01L31/09 , H01L31/1025 , H01S5/021 , H01S5/125 , H01S5/3412 , H01S5/4031 , H01S5/5018 , H01S5/5072 , H01S2301/14 , Y02E10/50 , Y10S977/762
Abstract: 本发明公开了包括纳米线层、光电探测器和半导体光放大器的基于纳米线的光电子器件(100，200，300，400，500)。该器件包括生长自单晶和/或非单晶表面的纳米线(114，214，324，434，436，560，562)。半导体光放大器包括充当镇流激光器以放大信号波导所携载信号的纳米线阵列，。纳米线激光器和光电探测器的实施例包括能够提供不同偏振的水平和竖直纳米线(434，436，562，560)。
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公开(公告)号：CN101103489A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580046906.6
申请日：2005-11-18
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: H01Q15/0086 , G02F1/0126 , G02F1/29 , H01Q3/44 , Y10T29/4902 , Y10T29/49798
Abstract: 本发明描述了一种用于控制入射电磁辐射(110)的传播的装置(100)，包括复合材料(102)，复合材料具有相对于入射电磁辐射(110)的波长维度小的电磁反应单元(106)。至少一个电磁反应单元(106)的电容和电感特性中的至少一个被时间地控制以允许时间地控制入射电磁辐射(110)在传播通过所述复合材料(106)时所遇到的相关有效折射系数。
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公开(公告)号：CN101027818A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580029042.7
申请日：2005-08-30
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: H01Q3/44 , H01Q15/0086
Abstract: 描述了一种复合材料(100)和相关的方法，该复合材料(100)配置为对工作波长的入射辐射(101)表现出负有效介电常数和/或负有效磁导率，该复合材料由与工作波长有关的小尺寸的电磁活性单元(106)排列而成。每个单元(106)包括由外部提供功率的增益元件(110)，用于增强所述谐振单元(106)对所述波长的入射辐射(101)的谐振响应。
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