公开(公告)号：CN104810334B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410602233.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 严亮 ,  罗埃尔·达门 ,  安可·赫琳哈 ,  埃尔文·海曾

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L23/3677 ,  H01L27/0211 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7824 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具有多个元胞的SOI功率器件中引入集成的散热器阵列，其可用于减小温度的升高，以在器件区域的所有元胞之间得到更为均匀的温度峰值，从而避免出现易于导致击穿的热点的出现，因此能够改善器件的安全工作区域。另外，该阵列还消耗较少的器件面积，并具有较低的Rdson。

公开(公告)号：CN104810334A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410602233.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 严亮 ,  罗埃尔·达门 ,  安可·赫琳哈 ,  埃尔文·海曾

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L23/3677 ,  H01L27/0211 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7824 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具有多个元胞的SOI功率器件中引入集成的散热器阵列，其可用于减小温度的升高，以在器件区域的所有元胞之间得到更为均匀的温度峰值，从而避免出现易于导致击穿的热点的出现，因此能够改善器件的安全工作区域。另外，该阵列还消耗较少的器件面积，并具有较低的Rdson。

公开(公告)号：CN104637989A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410610444.7

申请日：2014-11-03

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 严亮 ,  罗埃尔·达门 ,  安可·赫琳哈 ,  埃尔文·海曾

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/3677 ,  H01L27/0211 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7824 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出了一种半导体器件。在具有多个元胞的SOI功率器件中引入集成的散热器阵列，其可用于减小温度的升高，以在器件区域的所有元胞之间得到更为均匀的温度峰值，从而避免出现易于导致击穿的热点的出现，因此能够改善器件的安全工作区域。另外，该阵列还消耗较少的器件面积，并具有较低的Rdson。