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公开(公告)号:CN1405239A
公开(公告)日:2003-03-26
申请号:CN02127464.9
申请日:2002-08-02
申请人: 德古萨公司
CPC分类号: C01B33/18 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/19 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C01P2006/82 , C01P2006/90 , C09C1/3045 , C09C1/3081
摘要: 本发明涉及制备疏水性沉淀二氧化硅的方法,其特征为:a)制备有机聚硅氧烷衍生物和沉淀二氧化硅的混合物,b)在10到150℃下调制0.5到72h,和c)在流体条件下在高于300℃用氧化性气体进行氧化热处理。所述流体条件优选在悬浮床、移动床、流化床、流体床和/或湍动床中建立。
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公开(公告)号:CN1210354C
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN02127464.9
申请日:2002-08-02
申请人: 德古萨公司
CPC分类号: C01B33/18 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/19 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C01P2006/82 , C01P2006/90 , C09C1/3045 , C09C1/3081
摘要: 本发明涉及制备疏水性沉淀二氧化硅的方法,其特征为:a)制备有机聚硅氧烷衍生物和沉淀二氧化硅的混合物,b)在10到150℃下调制0.5到72h,和c)在流体条件下在高于300℃用氧化性气体进行氧化热处理。所述流体条件优选在悬浮床、移动床、流化床、流体床和/或湍动床中建立。
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