-
公开(公告)号:CN1210354C
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN02127464.9
申请日:2002-08-02
Applicant: 德古萨公司
CPC classification number: C01B33/18 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/19 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C01P2006/82 , C01P2006/90 , C09C1/3045 , C09C1/3081
Abstract: 本发明涉及制备疏水性沉淀二氧化硅的方法,其特征为:a)制备有机聚硅氧烷衍生物和沉淀二氧化硅的混合物,b)在10到150℃下调制0.5到72h,和c)在流体条件下在高于300℃用氧化性气体进行氧化热处理。所述流体条件优选在悬浮床、移动床、流化床、流体床和/或湍动床中建立。
-
公开(公告)号:CN1405238A
公开(公告)日:2003-03-26
申请号:CN02127463.0
申请日:2002-08-02
Applicant: 德古萨公司
IPC: C09C3/12
CPC classification number: C09C1/3081 , B01D19/0409 , B01J2/30 , C01B33/18 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/19 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C01P2006/82 , C01P2006/90 , C09C1/3045 , C09K3/10 , C09K3/1018 , C09K2200/0247
Abstract: 本发明涉及一种疏水性沉淀二氧化硅,具有极高的白度和特低的吸湿性。该疏水性沉淀二氧化硅特别是通过用硅油涂敷和氧化性退火制备的。
-
公开(公告)号:CN1405085A
公开(公告)日:2003-03-26
申请号:CN02129705.3
申请日:2002-08-02
Applicant: 德古萨公司
CPC classification number: C09C1/3081 , B01D19/0409 , B01J2/30 , C01B33/18 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C01P2006/19 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C01P2006/82 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明涉及具有非常高的白度的疏水性未热处理的硅石以及该疏水性硅石的制备方法和应用。
-
公开(公告)号:CN1405239A
公开(公告)日:2003-03-26
申请号:CN02127464.9
申请日:2002-08-02
Applicant: 德古萨公司
CPC classification number: C01B33/18 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/19 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C01P2006/82 , C01P2006/90 , C09C1/3045 , C09C1/3081
Abstract: 本发明涉及制备疏水性沉淀二氧化硅的方法,其特征为:a)制备有机聚硅氧烷衍生物和沉淀二氧化硅的混合物,b)在10到150℃下调制0.5到72h,和c)在流体条件下在高于300℃用氧化性气体进行氧化热处理。所述流体条件优选在悬浮床、移动床、流化床、流体床和/或湍动床中建立。
-
公开(公告)号:CN1264933C
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN02127463.0
申请日:2002-08-02
Applicant: 德古萨公司
IPC: C09C3/12
CPC classification number: C09C1/3081 , B01D19/0409 , B01J2/30 , C01B33/18 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/19 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C01P2006/82 , C01P2006/90 , C09C1/3045 , C09K3/10 , C09K3/1018 , C09K2200/0247
Abstract: 本发明涉及一种疏水性沉淀二氧化硅,具有极高的白度和特低的吸湿性。该疏水性沉淀二氧化硅特别是通过用硅油涂敷和氧化性退火制备的。
-
-
-
-
-