公开(公告)号：CN116997777A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280022666.X

申请日：2022-02-24

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： F·格里吉奥 ,  R·P·劳斯 ,  V·V·塔拉诺弗 ,  C·A·T·加西亚 ,  J·A·斯特朗

IPC: G01K7/36

Abstract: 描述了与使用原位谐振器感测超导集成电路(IC)内的区域的温度有关的电路和方法。示例涉及一种超导IC，该超导IC包括第一谐振器，该第一谐振器相对于超导IC的平面图具有第一空间位置。超导IC还包括第二谐振器，该第二谐振器相对于超导IC的平面图具有第二空间位置。超导IC还包括馈线，该馈线被配置为向第一谐振器和第二谐振器中的每个谐振器提供测试信号，以便从第一谐振器或第二谐振器引出频率响应，其中频率响应与超导IC内的对应于第一空间位置的第一区域相关或与超导体IC内的对应于第二空间位置的第二区域相关。

公开(公告)号：CN117204143A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030128.5

申请日：2022-03-16

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： C·李 ,  R·P·劳斯 ,  D·B·塔克曼 ,  F·格里吉奥 ,  C·坎塔卢贝

IPC: H10N60/20

Abstract: 低温多层互连结构具有基板，该基板包括钼层、在该基板上的第一绝缘层以及在第一绝缘层上的第一超导层。钼层具有热膨胀系数(CTE)，该热膨胀系数与要附接到低温多层互连结构的低温电子芯片的CTE很好地匹配。基板可以是覆铜钼基板，其提供由钼层提供的CTE优点，同时还提供增加的热导率以改善耦合到基板的低温电子芯片产生的热量的耗散。