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公开(公告)号：CN117204143A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030128.5
申请日：2022-03-16
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: H10N60/20
Abstract: 低温多层互连结构具有基板，该基板包括钼层、在该基板上的第一绝缘层以及在第一绝缘层上的第一超导层。钼层具有热膨胀系数(CTE)，该热膨胀系数与要附接到低温多层互连结构的低温电子芯片的CTE很好地匹配。基板可以是覆铜钼基板，其提供由钼层提供的CTE优点，同时还提供增加的热导率以改善耦合到基板的低温电子芯片产生的热量的耗散。
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