公开(公告)号：CN113801115B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202111052537.9

申请日：2021-09-08

Applicant: 徐州工程学院

Inventor： 孙华 ,  王士凡 ,  董黎明 ,  金家乐 ,  堵锡华

IPC: C07D471/22 ,  H10K85/60 ,  H10K30/86 ,  H10K30/40 ,  H10K101/30

Abstract: 本发明公开了一种稠环酰亚胺空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池应用，该稠环酰亚胺空穴传输材料，以大共轭稠环酰亚胺结构为中心构建单元，通过D‑A‑D(给体单元‑受体单元‑给体单元)的分子设计策略，可以保证材料在薄膜状态下拥有良好的Π‑Π堆积，进而拥有良好的电荷传输特性，同时通过在端基引入芳胺结构进一步调控材料的HOMO能级，有效提升空穴迁移率。本发明的稠环酰亚胺空穴传输材料的合成简单、产率高，在非掺杂的情况下即可获得高效率，稳定性能优异，具有取代目前空穴传输材料的潜力，具备良好的产业化前景。

公开(公告)号：CN113801115A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111052537.9

申请日：2021-09-08

Applicant: 徐州工程学院

Inventor： 孙华 ,  王士凡 ,  董黎明 ,  金家乐 ,  堵锡华

IPC: C07D471/22 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明公开了一种稠环酰亚胺空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池应用，该稠环酰亚胺空穴传输材料，以大共轭稠环酰亚胺结构为中心构建单元，通过D‑A‑D(给体单元‑受体单元‑给体单元)的分子设计策略，可以保证材料在薄膜状态下拥有良好的Π‑Π堆积，进而拥有良好的电荷传输特性，同时通过在端基引入芳胺结构进一步调控材料的HOMO能级，有效提升空穴迁移率。本发明的稠环酰亚胺空穴传输材料的合成简单、产率高，在非掺杂的情况下即可获得高效率，稳定性能优异，具有取代目前空穴传输材料的潜力，具备良好的产业化前景。