公开(公告)号：CN101855599A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115922.X

申请日：2008-09-08

Applicant: 弗赖斯金属有限公司

Inventor： T·米厄斯 ,  H·科瑞思 ,  R·M·布哈特卡尔

IPC: G03F7/12 ,  B41C1/14 ,  H01L31/0224

CPC classification number: G03F7/2014 ,  B41M3/006 ,  G03F7/0015 ,  G03F7/12 ,  H01L31/022425 ,  H05K3/1225 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种用于在半导体基片上形成金属喷镀的方法，其利用具有至少一个从接触侧延伸到填充侧的孔的模板，模版的接触侧实质上是平坦的，并与至少一个孔的壁形成尖锐的边缘，至少一个锥形的孔，以致至少一个孔在填充侧上的横截面的区域大于至少一个孔在接触侧上的横截面的区域。同时也公开了一种用于形成模版的方法，以用于将金属喷镀的线路布置到半导体基片上。

公开(公告)号：CN101855599B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200880115922.X

申请日：2008-09-08

Applicant: 弗赖斯金属有限公司

Inventor： T·米厄斯 ,  H·科瑞思 ,  R·M·布哈特卡尔

IPC: G03F7/12 ,  B41C1/14 ,  H01L31/0224

CPC classification number: G03F7/2014 ,  B41M3/006 ,  G03F7/0015 ,  G03F7/12 ,  H01L31/022425 ,  H05K3/1225 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种用于在半导体基片上形成金属喷镀的方法，其利用具有至少一个从接触侧延伸到填充侧的孔的模板，模版的接触侧实质上是平坦的，并与至少一个孔的壁形成尖锐的边缘，至少一个锥形的孔，以致至少一个孔在填充侧上的横截面的区域大于至少一个孔在接触侧上的横截面的区域。同时也公开了一种用于形成模版的方法，以用于将金属喷镀的线路布置到半导体基片上。