公开(公告)号：CN113035981B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202011259707.6

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金兑相 ,  金显栽 ,  刘赫埈 ,  林俊亨

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/113 ,  H10K59/40 ,  H10K59/60 ,  H10K59/12

Abstract: 提供一种光电晶体管以及包括其的显示装置。根据一实施例的光电晶体管，可以包括：栅电极，布置在基板上；栅极绝缘膜，使所述栅电极绝缘；第一活性层，相隔所述栅极绝缘膜而与所述栅电极重叠，并且包括金属氧化物；第二活性层，布置在所述第一活性层上，并且包括硒；以及源电极和漏电极，分别连接于所述第二活性层。

公开(公告)号：CN111373563B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201880075098.3

申请日：2018-06-14

Applicant: 乐金显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金显栽 ,  卓荣俊 ,  郑周成 ,  文晶玟 ,  崔秀石 ,  柳成必 ,  郑智桓 ,  张起晳

IPC: H10K50/86 ,  H10K59/121 ,  H10K50/80 ,  H10K50/30 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了光电晶体管及其的制造方法，光电晶体管具有通过溶液工艺引入至氧化物半导体光电晶体管的缺陷氧化物射线吸收层，或者具有通过形成损伤的界面控制引入至栅绝缘膜与氧化物半导体层之间的界面的缺陷氧化物射线吸收部分，从而使得能够在可见光区域的范围内改善光吸收。

公开(公告)号：CN117594688A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310973818.0

申请日：2023-08-03

Applicant: 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金兑相 ,  金显栽 ,  刘赫埈 ,  林俊亨

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 公开了一种光电晶体管、具有其的电子装置和制造光电晶体管的方法。所述光电晶体管包括：栅电极；半导体层，设置在栅电极上；栅极绝缘层，设置在栅电极与半导体层之间；源电极；漏电极；以及多孔层，设置在源电极、半导体层和漏电极上，其中，在多孔层中限定有多个孔。

公开(公告)号：CN113035981A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011259707.6

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金兑相 ,  金显栽 ,  刘赫埈 ,  林俊亨

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/113 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种光电晶体管以及包括其的显示装置。根据一实施例的光电晶体管，可以包括：栅电极，布置在基板上；栅极绝缘膜，使所述栅电极绝缘；第一活性层，相隔所述栅极绝缘膜而与所述栅电极重叠，并且包括金属氧化物；第二活性层，布置在所述第一活性层上，并且包括硒；以及源电极和漏电极，分别连接于所述第二活性层。

公开(公告)号：CN104276601A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410131298.X

申请日：2014-04-02

Applicant: 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 崔千基 ,  牟然坤 ,  金显栽 ,  林炫秀 ,  金是鐏 ,  郑泰秀 ,  林裕承

IPC: C01G30/00 ,  C01G19/00 ,  C03C17/23

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02628

Abstract: 根据本公开的一方面，提供了用于形成锡氧化物半导体的组合物，其包含锡前体化合物、锑前体化合物以及溶剂。还提供了形成锡氧化物半导体薄膜的方法。所述方法包括制备包括溶解在溶剂中的锡前体化合物和锑前体化合物的组合物；将所述组合物涂覆在衬底上；以及在涂覆所述组合物的衬底上进行热处理。

公开(公告)号：CN112601372B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202010946977.8

申请日：2020-09-10

Applicant: 延世大学校产学协力团

Inventor： 金显栽 ,  李奕飒 ,  金重铁 ,  郑秀珍 ,  崔东铉

IPC: H05K3/12 ,  G09F9/30

Abstract: 本实施例提供一种配线印刷装置以及显示装置，通过形成连接显示区域的线和驱动电路的线的配线结构来最小化显示装置的边框面积，并减少掩模工艺。

公开(公告)号：CN113972276A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110803587.X

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金兑相 ,  金珉成 ,  金显栽 ,  林俊亨

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管包括栅电极、面对栅电极的有源层以及连接到有源层的源电极和漏电极。有源层包括下有源层和上有源层，下有源层包括氧化物基半导体材料，上有源层包括氧化物基半导体材料和吸氧材料。

公开(公告)号：CN107919405B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201611204009.X

申请日：2016-12-23

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 李芝容 ,  朴正雨 ,  金显栽

IPC: H01L31/048 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了制备具有改进的抗湿性的阻隔膜的方法及由其制备的阻隔膜。具体地，本发明提供制备具有改进的抗湿性的阻隔膜的方法，其包括：a)通过沉积在衬底上形成氧化物薄膜；以及b)在约50至500℃的温度和约10至50atm的压力下使用N2、O2或其混合气体来高压热处理氧化物薄膜。根据该方法，能够在低处理温度下通过使用热能和压力能来改进阻隔膜的抗湿性。此处所提供的阻隔膜能够有用于作为太阳能电池的阻隔膜。

公开(公告)号：CN112601372A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010946977.8

申请日：2020-09-10

Applicant: 延世大学校产学协力团

Inventor： 金显栽 ,  李奕飒 ,  金重铁 ,  郑秀珍 ,  崔东铉

IPC: H05K3/12 ,  G09F9/30

Abstract: 本实施例提供一种配线印刷装置以及显示装置，通过形成连接显示区域的线和驱动电路的线的配线结构来最小化显示装置的边框面积，并减少掩模工艺。

公开(公告)号：CN111373563A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075098.3

申请日：2018-06-14

Applicant: 乐金显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金显栽 ,  卓荣俊 ,  郑周成 ,  文晶玟 ,  崔秀石 ,  柳成必 ,  郑智桓 ,  张起晳

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了光电晶体管及其的制造方法，光电晶体管具有通过溶液工艺引入至氧化物半导体光电晶体管的缺陷氧化物射线吸收层，或者具有通过形成损伤的界面控制引入至栅绝缘膜与氧化物半导体层之间的界面的缺陷氧化物射线吸收部分，从而使得能够在可见光区域的范围内改善光吸收。