公开(公告)号：CN102781838A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180010939.0

申请日：2011-02-23

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： E·J·P·法兰西斯 ,  G·古斯曼 ,  P·马鲁达哈查兰

IPC: C01G9/00 ,  C01G9/02

CPC classification number: C01G9/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/40

Abstract: 本发明主要涉及制造掺杂型或非掺杂型ZnO材料的方法以及可通过所述方法得到的掺杂型或非掺杂型ZnO材料。所述材料具有非常有意义的热电性质。所述方法包括：a）混合ZnO、至少一种掺杂元素的氧化物（若存在的话）和至少一种固体成孔剂的粉末，得到混合物，其中所述至少一种固体成孔剂适合产生开放孔隙，它相对于ZnO和所述至少一种掺杂元素的氧化物（若存在的话）的使用比例至少为5重量%，其平均尺寸至少为10μm，b）使所述混合物成形，得到成形生坯体，c）对所述成形生坯体进行热处理，得到具有开放孔隙的多孔烧结体，以及d）在惰性或还原性气氛中对所述多孔烧结体进行退火。

公开(公告)号：CN101103653A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN03824340.7

申请日：2003-09-03

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·达马尼 ,  G·古斯曼 ,  J·普茨 ,  M·A·埃杰特

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/28 ,  H05B33/10

CPC classification number: C04B35/01 ,  C03C17/3417 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9653 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5215 ,  H05B33/22 ,  H05B33/28

Abstract: 本发明揭示了一种用于制造发光显示设备的材料，它包括玻璃或玻璃状陶瓷底物(1)，沉积在底物(1)的一面、基本上包括至少一种单一或混合、掺杂或没有掺杂的透明导电氧化物(TCO)的第一层(2)，至少一种单一或混合、掺杂或没有掺杂的透明导电氧化物的第二层(3)，两层是这样的：所述的第一层(2)具有大于1nm的粗糙度，所述的第二层(3)具有小于或等于1nm的粗糙度，具有第一和第二层的产品在可见光范围内的透光度为至少80％，所述第二层(3)的工作性能高于所述第一层(2)的工作性能，并且高于4.6eV。优选的是大于4.8eV。第一层(2)有利的是掺入锡的氧化铟层，第二层(3)是掺杂锑的氧化锡层。本发明也描述的发光显示设备(图2)，特别是在其阳极掺入这些材料的有机发光二极管。

公开(公告)号：CN1255889A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN98804014.X

申请日：1998-03-30

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： G·古斯曼

IPC: B32B3/26 ,  B32B17/06

CPC classification number: C03C17/007 ,  B82Y30/00 ,  C03C1/008 ,  C03C2203/24 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/214 ,  C03C2217/22 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/45 ,  C03C2217/475 ,  C03C2218/113

Abstract: 本发明涉及一种光学制品,它包含一块无机基材和位于所述无机基材的至少一个表面上的一层减反射涂层,其特征是所述无机基材的折射率为1.5—1.9,所述减反射涂层是单层的纳米孔/纳米晶粒结构的涂层,是由一种溶胶—凝胶膜进行热处理而得到的,所述溶胶—凝胶膜包含强互连的无机聚合物,它也与无机颗粒相连;所述聚合物形成三维网络,其通式为M－OH/M－O－M,式中M表示金属或准金属,较好的是选自硅、铝、锆、钛及其混合物。本发明还涉及一种作为所述减反射涂层的前体的溶胶—凝胶材料,以及得到所述光学制品的涂覆方法。所述器件较好的是眼用透镜。

公开(公告)号：CN102770374A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180010964.9

申请日：2011-02-24

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： G·古斯曼 ,  P·马鲁达哈查兰

IPC: C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  C09C1/04

CPC classification number: C01G9/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  H01L35/22

Abstract: 本发明涉及：一种包含掺Ge的ZnO的材料，作为n型热电材料；一种制备所述热电材料的方法；以及一种在其n型部件中包含所述材料的热电设备。

公开(公告)号：CN1685521A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822521.2

申请日：2003-09-24

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·达马尼 ,  G·古斯曼 ,  S·麦克肯

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603

Abstract: 第一方面，本发明提供了一种硅薄膜晶体管，它包括基材；直接沉积在所述基材上的多孔二氧化硅SiO2阻隔层；已经变成多晶体的硅薄膜层，它直接沉积在所述阻隔层上。本发明也提供了一种制造该晶体管的方法，包括该晶体管的显示屏和至少该显示屏的方法。