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公开(公告)号：CN118215985A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280069231.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将含硅前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置于半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括：在处理区域中形成含硅前驱物的等离子体，以及在基板上形成第一材料层。第一材料层可包括氧化硅。方法可包括：将含锗前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域，以及在处理区域中形成含锗前驱物的等离子体。形成含锗前驱物的等离子体可在大于或约500W的等离子体功率下执行。方法可包括：在基板上形成第二材料层。第二材料层可包括氧化锗。
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