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公开(公告)号：CN114514626B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202180005553.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K50/84 , H10K50/844 , H10K50/82 , H10K59/122
Abstract: 本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括：基板；相邻像素限定层(PDL)结构，所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素；无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述PDL结构的上表面上；和多个子像素。每个子像素包括：阳极；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极之上并且与所述阳极接触；阴极，所述阴极设置在所述OLED材料之上并且在与每个子像素相邻的所述无机悬垂结构之下延伸；和包封层，所述包封层设置在所述阴极之上。所述包封层在所述无机悬垂结构的至少一部分之下且沿所述无机悬垂结构的侧壁延伸。
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公开(公告)号：CN116249371A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210430274.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成可用于显示器中的子像素电路的方法。所述子像素电路包括多个接触悬垂部。所述多个接触悬垂部设置在要形成的子像素电路的相邻子像素之间。所述接触悬垂部形成在通过PDL结构暴露的金属网格之上。阴极经由蒸发沉积进行沉积以与所述接触悬垂部进行接触。所述金属网格垂直于设置在基板上的多个金属层。
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公开(公告)号：CN114514626A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202180005553.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括：基板；相邻像素限定层(PDL)结构，所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素；无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述PDL结构的上表面上；和多个子像素。每个子像素包括：阳极；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极之上并且与所述阳极接触；阴极，所述阴极设置在所述OLED材料之上并且在与每个子像素相邻的所述无机悬垂结构之下延伸；和包封层，所述包封层设置在所述阴极之上。所述包封层在所述无机悬垂结构的至少一部分之下且沿所述无机悬垂结构的侧壁延伸。
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公开(公告)号：CN117917208A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202380013530.7
申请日：2023-08-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K59/60 , H10K59/70 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/80 , H10K59/122 , H10K59/131 , H10K59/12
Abstract: 本文所述的实施方式涉及子像素电路、包括子像素电路的显示器和一种形成可用于诸如有机发光二极管(OLED)显示器这样的显示器中的子像素电路的方法。本文所述的显示器的一些配置包括：所述子像素电路；以及至少一个传感器开口，所述至少一个传感器开口与悬伸结构和相邻子像素电路相邻。所述至少一个传感器开口包括设置在所述至少一个传感器开口下的传感器。本文所述的其他配置显示器包括子像素电路，所述子像素电路包括OLED子像素和透明子像素，使得传感器设置在子像素电路下。本文所述的配置利用集成的传感器来提高所述显示器的透射率，同时消除对边框的需要并减少所述显示器中的死区。
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公开(公告)号：CN117981494A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280063768.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K50/844 , H10K59/122 , H10K59/121 , H10K50/10
Abstract: 本文描述的实施方式涉及一种设备，所述设备包括：基板；像素限定层(PDL)结构，设置在所述基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构限定。每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方。悬伸结构限定包括第一子像素和第二子像素的多个子像素。每个子像素包括阳极、有机发光二极管(OLED)材料、阴极和封装层。OLED材料设置在第一阳极上方并且在所述悬伸结构下面延伸。所述阴极设置在所述OLED材料上方和所述悬伸结构下面。所述封装层设置在所述第一阴极上方。第一封装层具有第一厚度，并且第二封装层具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117580387A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311158836.X
申请日：2021-03-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K50/84 , H10K50/844 , H10K59/122 , H10K71/00
Abstract: 本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括：基板；相邻像素限定层(PDL)结构，所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素；无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述PDL结构的上表面上；和多个子像素。每个子像素包括：阳极；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极之上并且与所述阳极接触；阴极，所述阴极设置在所述OLED材料之上并且在与每个子像素相邻的所述无机悬垂结构之下延伸；和包封层，所述包封层设置在所述阴极之上。所述包封层在所述无机悬垂结构的至少一部分之下且沿所述无机悬垂结构的侧壁延伸。
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公开(公告)号：CN117222245A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210724556.X
申请日：2022-06-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K50/81 , H10K50/816 , H10K59/12 , H10K71/00
Abstract: 描述了背板处理的示例性方法。所述方法包括在基板上形成第一金属氧化物材料。所述方法可以包括在所述第一金属氧化物材料之上形成金属层。所述金属层可以是银或者包括银。所述方法可以包括在所述金属层之上形成非晶保护材料。所述非晶保护层可以包括第二金属氧化物材料。所述方法可以包括在所述非晶保护材料之上形成第二金属氧化物材料。所述第二金属氧化物材料可以包括具有一个或多个晶界的晶体材料。所述晶界可以包括一个或多个空隙。
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公开(公告)号：CN117999867A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202380013753.3
申请日：2023-01-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K59/122 , H10K50/17 , H10K59/80 , H10K59/35
Abstract: 本文所述的实施例涉及一种设备，该设备包括：基板、设置在基板上方的多个相邻的像素限定层(PDL)结构，以及多个子像素。每个子像素包括相邻的第一悬垂部、相邻的第二悬垂部、阳极、空穴注入层(HIL)材料、附加的有机发光二极管(OLED)材料，以及阴极。每个第一悬垂部由设置在基部结构上方并横向延伸通过基部结构的主体结构限定，基部结构设置在PDL结构上方。每个第二悬垂部由顶部结构限定，顶部结构设置在主体结构上方并横向延伸通过主体结构。HIL材料设置在阳极上方并与该阳极接触，并且设置在相邻的第一悬垂部下面。附加的OLED材料设置在HIL材料上方，并且在第一悬垂部下面延伸。
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公开(公告)号：CN116058108A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054725.7
申请日：2021-03-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K71/16 , H10K59/122 , H10K50/844 , H10K71/60
Abstract: 本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括多个子像素，所述多个子像素的每个子像素由相邻像素限定层(PDL)结构限定，所述PDL结构具有设置在所述PDL结构上的无机悬垂结构，每个子像素具有：阳极；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极上；和阴极，所述阴极设置在所述OLED材料上。所述装置通过包括以下步骤的工艺制造：通过蒸发沉积沉积所述OLED材料和所述阴极；和沉积包封层，所述包封层设置在所述阴极之上。
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公开(公告)号：CN114631191A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076342.5
申请日：2020-09-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了用于形成设置在基板上的有机发光二极管(OLED)结构的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种用于形成有机发光二极管(OLED)基板的方法，所述方法包括：在第一方向上在基板上形成第一导电层；在所述第一导电层的一部分上形成介电层，其中所述介电层包括使所述第一导电层的一部分暴露的阱；在第二方向上且在两个汇流条之间将有机材料连续地沉积在所述阱中和所述介电层上；以及在与所述第一方向正交的第二方向上且在两个汇流条之间在所述有机材料上连续地形成第二导电层，其中所述第二导电层在所述第二导电层的相对侧上与所述汇流条直接接触；以及在所述第二方向上在所述第二导电层上连续地沉积封装层并完全地覆盖所述第二导电层。
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