公开(公告)号：CN112470263B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201980030050.5

申请日：2019-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰奎琳·阮奇 ,  吴立其 ,  吴湘宁 ,  马伯方 ,  尚浩·于 ,  F·G·瓦西纳诺特 ,  诺布尤基·佐佐木

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01S3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了一种用于增加基板上的铝层的反射率的方法及设备。在一些实施方式中，一种在基板上沉积铝层的方法，包括以下步骤：利用化学气相沉积(CVD)工艺在基板上沉积钴或钴合金层或钛或钛合金层；若损害钴或钴合金层的顶表面，则在约400摄氏度的温度下利用热氢退火预处理钴或钴合金层；和在约120摄氏度的温度下利用CVD工艺在钴或钴合金层或钛或钛合金层上沉积铝层。可实现钴或钴合金层的预处理达约60秒至约120秒的持续时间。

公开(公告)号：CN112470263A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980030050.5

申请日：2019-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰奎琳·阮奇 ,  吴立其 ,  吴湘宁 ,  马伯方 ,  尚浩·于 ,  F·G·瓦西纳诺特 ,  诺布尤基·佐佐木

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01S3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了一种用于增加基板上的铝层的反射率的方法及设备。在一些实施方式中，一种在基板上沉积铝层的方法，包括以下步骤：利用化学气相沉积(CVD)工艺在基板上沉积钴或钴合金层或钛或钛合金层；若损害钴或钴合金层的顶表面，则在约400摄氏度的温度下利用热氢退火预处理钴或钴合金层；和在约120摄氏度的温度下利用CVD工艺在钴或钴合金层或钛或钛合金层上沉积铝层。可实现钴或钴合金层的预处理达约60秒至约120秒的持续时间。