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公开(公告)号：CN119220965A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410861696.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , H01L21/762 , H01L21/02 , C23C16/515 , C23C16/32
Abstract: 描述了用于在基板表面中形成的特征中形成金属碳化物衬垫的方法。特征中的每个特征从基板表面延伸到基板中一定距离并且具有底部和至少一个侧壁。所述方法包括用多个高频射频(HFRF)脉冲在基板表面的特征中沉积金属碳化物衬垫。还描述了具有金属碳化物衬垫的半导体器件和使用金属碳化物衬垫填充间隙的方法。
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