公开(公告)号：CN102449726B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080023248.X

申请日：2010-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼尔·莫里森 ,  安德烈·赫佐格 ,  斯特凡·海因 ,  彼得·斯库克

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32 ,  C23C14/505 ,  H01J37/3277

Abstract: 本发明描述了用于在真空腔室内将沉积气转变成等离子体相并且用于通过该等离子体相在沿基底输送方向移动的基底上沉积薄膜的等离子体沉积源，该等离子体沉积源包括多区域电极设备和RF功率生成器，该多区域电极设备适于配置在该真空腔室中并且包括被配置为与移动基底相对的至少一个RF电极；该RF功率生成器适于向该RF电极供应RF功率。该RF电极具有被配置在该RF电极的一个边缘处的至少一个气体入口和被配置在该RF电极的相对边缘处的至少一个气体出口。归一化等离子体容积由被界定在电极表面与相对基底位置之间的等离子体容积除以电极长度来提供。该归一化等离子体容积被调整到沉积气的耗尽长度。

公开(公告)号：CN102449726A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023248.X

申请日：2010-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼尔·莫里森 ,  安德烈·赫佐格 ,  斯特凡·海因 ,  彼得·斯库克

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32 ,  C23C14/505 ,  H01J37/3277

Abstract: 本发明描述了用于在真空腔室内将沉积气转变成等离子体相并且用于通过该等离子体相在沿基底输送方向移动的基底上沉积薄膜的等离子体沉积源，该等离子体沉积源包括多区域电极设备和RF功率生成器，该多区域电极设备适于配置在该真空腔室中并且包括被配置为与移动基底相对的至少一个RF电极；该RF功率生成器适于向该RF电极供应RF功率。该RF电极具有被配置在该RF电极的一个边缘处的至少一个气体入口和被配置在该RF电极的相对边缘处的至少一个气体出口。归一化等离子体容积由被界定在电极表面与相对基底位置之间的等离子体容积除以电极长度来提供。该归一化等离子体容积被调整到沉积气的耗尽长度。