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公开(公告)号：CN107532282B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201580078866.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·塞韦林 , 安德烈亚斯·克勒佩尔 , 马库斯·哈尼卡 , 蔡皮皮 , 林宛瑜
Abstract: 本公开内容描述了一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和其设备。所述方法包括通过使用第一处理参数集合从含氧化铟的靶溅射第一层而将层堆叠沉积(101)至基板上；使用与第一处理参数集合不同的第二处理参数集合从含氧化铟的靶将第二层溅射至第一层上；以及通过蚀刻来图案化(102)层堆叠。所述设备(200)包括真空腔室(210)；一个或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，所述一个或多个含氧化铟的靶在真空腔室内用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，所述气体分配系统用于在真空腔室内提供处理气体；以及控制器(240)，所述控制器被连接至气体分配系统(230)并且被配置为执行用于进行所述方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN107532282A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580078866.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·塞韦林 , 安德烈亚斯·克勒佩尔 , 马库斯·哈尼卡 , 蔡皮皮 , 林宛瑜
Abstract: 本公开内容描述了一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和其设备。所述方法包括通过使用第一处理参数集合从含氧化铟的靶溅射第一层而将层堆叠沉积(101)至基板上；使用与第一处理参数集合不同的第二处理参数集合从含氧化铟的靶将第二层溅射至第一层上；以及通过蚀刻来图案化(102)层堆叠。所述设备(200)包括真空腔室(210)；一个或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，所述一个或多个含氧化铟的靶在真空腔室内用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，所述气体分配系统用于在真空腔室内提供处理气体；以及控制器(240)，所述控制器被连接至气体分配系统(230)并且被配置为执行用于进行所述方法的程序代码。
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