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发明公开
选择性材料移除审中-实审

公开(公告)号：CN112740372A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980061177.3

申请日：2019-08-26

申请人： 应用材料公司

发明人： 夏铭 , D·杨 , C-M·许

IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67

摘要： 用于移除氮化物的示例性方法可包括使含氟前驱物流动到半导体处理腔室的远程等离子体区域中。方法可进一步包括在远程等离子体区域内形成等离子体以产生含氟前驱物的等离子体流出物以及使等离子体流出物流动到容纳基板的半导体处理器腔室的处理区域中。基板可包括高深宽比特征。基板可进一步包括暴露的氮化物的区域及暴露的氧化物的区域。方法可进一步包括将含氢前驱物提供到处理区域以产生蚀刻剂。可用蚀刻剂移除暴露的氮化物的至少一部分。