CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算方法及系统

    公开(公告)号:CN119414116A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411517473.9

    申请日:2024-10-29

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算方法及系统,包括:构建利兹线内部磁场强度模型,根据利兹线内部磁场强度模型确定圆形利兹线磁场强度的极坐标表达式;确定CLLC谐振电路的一次侧电流有效值和二次侧电流有效值;确定邻近效应损耗表达式,根据极坐标表达式、一次侧电流有效值、二次侧电流有效值以及邻近效应损耗表达式计算得到CLLC谐振电路原副边的邻近效应损耗值;确定趋肤效应损耗表达式,根据极坐标表达式、一次侧电流有效值、二次侧电流有效值以及趋肤效应损耗表达式计算得到CLLC谐振电路原副边的趋肤效应损耗值。本发明提高了CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算的精确性,可应用于电路测量技术领域。

    一种分数阶增益的有源EMI滤波器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117155337A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311030662.9

    申请日:2023-08-15

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种分数阶增益的有源EMI滤波器,包括:噪声源端、负载端、电容Cs1、电容Cs2、电容Cs3、电容Cinj、电阻Rs1、电阻Rs2、电阻Ri、电阻Rf、电阻Rinj、电阻Rs3、k阶分数阶滤波器、第一增益电路G1、第二增益电路G2和第一运算放大器;本发明可以实现在高频段进行有效EMI抑制的方法。

    一种变频变电压的永磁同步电机控制方法

    公开(公告)号:CN116683810A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310015529.X

    申请日:2023-01-04

    Applicant: 广州大学

    Inventor: 杨红 杨帆 杨汝

    Abstract: 本发明涉及电机控制技术领域,且公开了一种变频变电压的永磁同步电机控制方法,包括以下步骤:第一步:建立隐极式永磁同步电机模型和基于输出周期的IGBT损耗模型,并建立两者关系;第二步:以逆变器输出电流质量为约束条件,以逆变器开关频率和直流母线电压为约束变量建立优化目标;第三步:应用最优化的方法得出基于输出周期的IGBT损耗最低的开关频率和直流母线电压,该变频变电压的永磁同步电机控制方法,优化了电机的直流母线电压和开关频率,能够最大程度降低IGBT损耗,从而明显降低IGBT的结温,提高其使用寿命。

    一种DC/DC变换器的指数稳定性分析方法及系统

    公开(公告)号:CN110378078B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201910860955.7

    申请日:2019-09-11

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种DC/DC变换器的指数稳定性分析方法,至少包括以下步骤:根据DC/DC变换器的运行模态建立DC/DC变换器的增广周期切换系统模型;根据不连续控制理论建立DC/DC变换器系统指数稳定性判断依据;将增广周期切换系统模型进行关于工作平衡点的变换,得到适用于不连续控制指数稳定性判断依据的DC/DC变换器系统的系统状态空间方程;根据预设的寄生参数以及判断依据对系统状态空间方程进行分析,得到DC/DC变换器系统的指数稳定性分析结果。本发明提供的一种DC/DC变换器的指数稳定性分析方法及系统,不用近似,能够准确地得到DC/DC变换器系统的指数稳定性分析结果。

    混沌信号生成方法、电路、调制信号输出电路及开关电源

    公开(公告)号:CN111313684A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010102733.1

    申请日:2020-02-19

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种混沌信号生成方法、电路、调制信号输出电路及开关电源。所述方法包括设定混沌模型的工作参数,使得设定后的所述工作参数对应的李雅普诺夫指数达到极大值,以及使用经过设定的所述混沌模型生成混沌信号等步骤,所述电路通过执行所述方法来生成并输出混沌信号。根据李雅普诺夫指数来选择合适的混沌模型工作参数,当选择对应李雅普诺夫指数局部或全局最大值的工作参数时,混沌模型所输出的混沌信号具有局部或全局最小的方差,此时混沌信号的频谱分布均匀,有助于EMI的能量扩散,使用这样的混沌信号来进行开关电源的调制,能够取得较佳的EMI抑制效果。本发明广泛应用于自动控制技术领域。

    一种基于混沌信号驱动的开关变换器EMI抑制方法

    公开(公告)号:CN107404223B

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201710689705.2

    申请日:2017-08-11

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于混沌信号驱动的开关变换器EMI抑制方法,包括:获取用户输入的混沌信号,并将混沌信号离散化,获得离散化数据;采集开关变换器的反馈电压信号,并根据离散化数据和所述反馈电压信号,生成混沌PWM驱动信号;其中,反馈电压信号用于改变混沌PWM驱动信号的占空比;离散化数据用于改变混沌PWM驱动信号的频率;输出PWM驱动信号到开关变换器,以控制开关变换器的开关状态,实现开关变换器的EMI抑制。采用本发明实施例,通过混沌PWM驱动信号控制闭环开关变换器进行混沌扩频,从而抑制EMI,实现方法简单,精度高,使用范围广。

    荷控忆阻器的一种双端有源等效电路

    公开(公告)号:CN103295628A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310148502.4

    申请日:2013-04-25

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了荷控忆阻器的一种双端有源等效电路,其包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、第一电压跟随器、第二电压跟随器、第一减法器、第一加法器、第二减法器、第二加法器、第三减法器、积分器、除法器、第四减法器和电压源Uref。本发明通过反馈控制流过有源忆阻器的电流,使用串联的电阻R1、R2、R3分压,R1和R2之间、R2和R3之间均加入反馈对流过R1和R3的电流进行控制,根据忆阻器的U-I特性,通过运算电路来实现的,使其符合忆阻器的电气特性。由于本发明不是通过控制可变电阻实现的,控制精度高;而且其双端明确,数学概念清晰,可接入电路中与其它元件串联或并联使用,是一种实际可行的有源忆阻器。

    一种变换器均流控制方法、系统、设备及介质

    公开(公告)号:CN119602583A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411704598.2

    申请日:2024-11-26

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种变换器均流控制方法、系统、设备及介质,基于变换器的拓扑结构构建第一状态空间模型;引入两相电感电流差和总和对第一状态空间模型进行变换,得到第二状态空间模型;基于输出电压变化率与两相电感电流总和之间的线性关系,以及两相电感电流差与输出电压之间的线性关系,将第二状态空间模型解耦为电感电流调节子系统和电压调节子系统,用于构建切换仿射系统的第三状态空间模型;根据基于第三状态空间模型构建的Lyapunov函数的线性矩阵不等式设计最小投影控制器,用于生成控制信号,以控制功率开关以调节输出电压并实现均流。本申请提供的方法,均流控制精准,电压调节快速,在输入电压跳变或参考电压变换时保持稳定。

    一种绕组设计方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118888285A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410947956.6

    申请日:2024-07-16

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明涉及平面变压器绕组技术领域,公开了一种绕组设计方法,包括:选择磁芯种类;根据磁芯种类选择磁芯截面尺寸变量;根据各匝绕组截面外轮廓尺寸与磁芯截面尺寸变量之间的关系、磁芯截面积、绕组总匝数,确定绕组损耗与磁芯截面尺寸变量的关系;根据绕组损耗与磁芯截面尺寸变量之间的关系、磁芯截面尺寸变量最大值,确定绕组损耗优化值以及绕组损耗优化值对应的磁芯截面尺寸变量值;根据磁芯截面积与磁芯截面尺寸变量值,确定磁芯截面的尺寸参数以及各匝绕组截面外轮廓尺寸。

    一种反激式变换器电路板的电磁辐射仿真预测方法

    公开(公告)号:CN112528580B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202011306564.X

    申请日:2020-11-19

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本申请涉及电子电路仿真技术领域,尤其涉及一种反激式变换器电路板的电磁辐射仿真预测方法。包括:建立反激式变换器电路板的初始模型;在所述初始模型中设置叠层、无源器件参数得到第一模型;在所述第一模型中设置预设类型器件的第一激励源端口得到第二模型;建立场效应晶体管模型;根据所述第二模型和所述场效应晶体管模型得到第三模型;在所述第三模型中添加所述预设类型器件的模型、设置激励源进行仿真得到仿真数据;根据所述仿真数据得到电磁辐射分布。电磁辐射仿真预测方法省去了样机调试的时间成本,同时整个电磁辐射仿真预测都能够在计算机中完成,达到快速评估设计方案并快速给出方案整改意见的效果,节省了大量的人力物力成本。

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