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公开(公告)号：CN118007242A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410114057.8
申请日：2024-01-27
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
IPC: C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及太阳能电池生产技术领域，具体涉及一种高效的单晶硅片制绒添加剂及其制备方法和制绒工艺，该制绒添加剂包括形核剂、绒面调节剂、排泡剂、稳定剂和水，其中形核剂为水溶性纤维素醚。该制绒添加剂能明显降低制绒后硅片的反射率，在400nm波长下反射率可达9.8％，在500nm～700nm波长下发射率可达6％～8％之间；并且能降低制绒时间，制得的硅片绒面均匀无异色。该制绒工艺能使得硅片的去损伤处理和制绒处理同时进行，减少了工艺流程，提高了产能，并且经制绒后的硅片具有极低的反射率，制绒时间段，仅为3min～7min。
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公开(公告)号：CN117721473A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311742182.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电池铝壳脱脂洗白的方法，所述方法包括以下步骤：将粉剂和水剂制成脱脂洗白液，使用所述脱脂洗白液对电池铝壳进行脱脂洗白处理；对脱脂洗白后得到的铝壳进行漂洗，得到洁净电池铝壳；所述粉剂为焦磷酸钾，所述水剂包括羟基乙叉二膦酸钠、表面活性剂、有机溶剂和去离子水，本发明所述方法将脱脂与洗白结合在一起，有效缩减了电池铝壳的清洗工艺流程，提高生产效率，所述方法无需使用特制的PVC槽体，仅使用工业清洗中常用的不锈钢槽体即可。
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公开(公告)号：CN117229840A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311170918.6
申请日：2023-09-12
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
IPC: C10M173/02 , C10M169/04 , C10N40/24 , C10N30/12 , C10N30/10 , C10N30/16 , C10N30/06
Abstract: 本发明涉及一种水基型记忆金属拉丝液及其应用，所述水基型记忆金属拉丝液的制备原料包括氨基醇、醇胺硼酸酯、多元醇、脂肪族二元酸、润滑剂、缓蚀剂、沉降剂和杀菌剂。所述水基型记忆金属拉丝液采用水为基础溶剂，通过添加特定的成分，由各组分合理的配比制备而成。所述水基型记忆金属拉丝液具有优异的拉丝性能和稳定性，在记忆金属加工过程中能够有效地控制形变，提高加工效率和产品质量。加工后的记忆金属表面粗糙度Ra在100‑200nm，光泽度值在100‑150Gu，纹路清晰，质感良好。
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公开(公告)号：CN116606077A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310622451.8
申请日：2023-05-30
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明提供一种玻璃蒙砂液及其制备方法和应用，所述玻璃蒙砂液的组分及其质量份数如下：40‑60份氟化盐，5‑20份无机盐，5‑20份固体颗粒，20‑40份有机酸，60‑120份水。所述玻璃蒙砂液经玻璃蒙砂工艺后沉淀处理得到蒙砂液沉淀物，所述蒙砂液沉淀物作为组分之一用于制备再生玻璃蒙砂液，所述再生玻璃蒙砂液的组分及质量份数如下：2‑10份蒙砂液沉淀，40‑60份氟化盐，5‑20份无机盐，5‑20份固体颗粒，20‑40份有机酸，60‑120份水。该玻璃蒙砂液降低玻璃蒙砂液的使用温度可以有效减少玻璃蒙砂液的挥发量，增加产量。将蒙砂液沉淀与氟化盐、无机盐、固体颗粒和有机酸再次复配可以得到再生蒙砂液，该再生蒙砂液仍然具有良好的蒙砂效果，稳定性好。
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公开(公告)号：CN113122398A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110440946.X
申请日：2021-04-23
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种水基型液晶清洗剂及其制备方法和应用，所述水基型液晶清洗剂的制备原料以质量百分比计包括以下组分：亲水性非离子表面活性剂20‑24％；亲油性非离子表面活性剂13‑20％；助剂8‑12％；余量为去离子水。本发明的水基型液晶清洗剂作为工业清洗剂，用量小，效率高，更加环保，不可燃，安全性能高，并且避免了离子腐蚀工件的风险，适用于液晶显示器清洗等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119461869A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411696996.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明提供了一种可重复利用的玻璃蒙砂及其制备方法和应用，涉及玻璃蒙砂技术领域，按质量份数计，包括如下组分：20‑40份氟化盐，5‑10份无机盐，5‑10份固体颗粒，40‑50份无机酸，10‑30份水；可重复利用的玻璃蒙砂液经玻璃蒙砂工艺后沉淀处理得到蒙砂液沉淀物，蒙砂液沉淀物作为组分之一用于制备再生玻璃蒙砂液，再生玻璃蒙砂液按质量份数计，包括如下组分：2‑10份蒙砂液沉淀物，20‑30份氟化盐，5‑10份无机盐，5‑10份固体颗粒，30‑40份无机酸，络合剂2‑5份，10‑20份水。通过对玻璃蒙砂液废液的有效处理，其上清液转化为酸洗液、其沉淀物复配再利用，不仅大幅减少了废液的排放总量和排放次数，还有效促进了资源的循环使用，实现了经济效益与环境保护的双赢。
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公开(公告)号：CN118005289A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410132166.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种玻璃蒙砂液及其制备方法和应用，涉及玻璃表面处理技术领域。本发明的玻璃蒙砂液包括如下组分：氟化氢铵，氯化钠，氢氟酸，硝酸，盐酸，分散剂；其中，所述玻璃蒙砂液中硝酸的质量百分比为10～20％。本发明通过特定组分的复配，并控制硝酸的比例，得到的玻璃蒙砂液使用简单，上砂稳定，其中含有氯化钠和硝酸，能够促进晶核生长并控制晶型，稳定、均匀地对微晶玻璃上砂，且不会出现漏砂现象，解决了普通玻璃蒙砂液无法稳定对微晶玻璃上砂，或者容易出现上砂不均导致良率过低无法稳定量产的问题。
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公开(公告)号：CN115851363B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202211572667.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
IPC: C10M173/02 , C10N30/00 , C10N30/06 , C10N30/04 , C10N30/12
Abstract: 本发明提供一种抗静电半导体晶圆切割液及其制备方法，所述切割液总量为100质量份，所述切割液的组分及其质量份为：聚乙二醇35.0‑50.0份、抗静电剂2.0‑10.0份、第一表面活性剂3.0‑12.0份、有机酸螯合剂0.5‑2份、消泡剂0.5‑1.0份、超纯水余量。所述制备方法为按所述切割液的组分及其质量份准备原料；向分散搅拌机中加入所述超纯水，准确称取所述有机酸螯合剂，进行第一搅拌至所述所述有机酸螯合剂完全溶解；加入所述聚乙二醇、所述抗静电剂、所述消泡剂和所述第一表面活性剂，进行第二搅拌，得到所述切割液。所述切割液可中和切割碎屑中的负电荷，减少碎屑再沉降，提高晶圆表面洁净度，提高晶圆表面的静电逸散能力，减少静电聚集，且该切割液十分安全，不会对晶圆产生腐蚀。
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公开(公告)号：CN115851363A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211572667.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
IPC: C10M173/02 , C10N30/00 , C10N30/06 , C10N30/04 , C10N30/12
Abstract: 本发明提供一种抗静电半导体晶圆切割液及其制备方法，所述切割液总量为100质量份，所述切割液的组分及其质量份为：聚乙二醇35.0‑50.0份、抗静电剂2.0‑10.0份、第一表面活性剂3.0‑12.0份、有机酸螯合剂0.5‑2份、消泡剂0.5‑1.0份、超纯水余量。所述制备方法为按所述切割液的组分及其质量份准备原料；向分散搅拌机中加入所述超纯水，准确称取所述有机酸螯合剂，进行第一搅拌至所述所述有机酸螯合剂完全溶解；加入所述聚乙二醇、所述抗静电剂、所述消泡剂和所述第一表面活性剂，进行第二搅拌，得到所述切割液。所述切割液可中和切割碎屑中的负电荷，减少碎屑再沉降，提高晶圆表面洁净度，提高晶圆表面的静电逸散能力，减少静电聚集，且该切割液十分安全，不会对晶圆产生腐蚀。
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公开(公告)号：CN118852983A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410811667.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明属于抛光材料技术领域，特别涉及一种单晶硅的抛光液及其制备方法和应用。本发明单晶硅的抛光液包括磨料、助溶剂、氧化剂、润滑剂、分散剂、PH调节剂；磨料为改性碳化硼，改性碳化硼为采用硬脂酸对碳化硼进行改性得到。本发明通过各组分的共同作用，可提高抛光液的抛光效率及抛光后的表面质量。此外，采用改性碳化硼作为抛光液磨料可提高硅片的抛光效率，同时，使用硬脂肪酸对碳化硅进行改性，使得改性碳化硼具备优良的悬浮性及分散性，克服了碳化硼磨料易造成硅片划伤的缺陷，提高产品的表面质量。
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