一种金属锗的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116638092A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310428593.0

    申请日:2023-04-20

    Abstract: 本发明公开了一种金属锗的制备方法。一种金属锗的制备方法,包括如下步骤:将聚乙烯醇在550℃‑800℃,真空条件下还原氧化锗制备得到高质量金属锗。本发明采用二氧化锗混合PVA压块、破碎、真空烧结还原的技术,该方案容易操作,安全性高,避免了氢气还原的爆炸风险,大大提高锗的生产效率、降低能耗,同时提高锗的回收率,回收率在99%以上,且产品纯度不低于原料二氧化锗的纯度。

    一种制备高纯镓的电解装置

    公开(公告)号:CN216639668U

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202123341612.1

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种制备高纯镓的电解装置,包括电解槽、用于盛放熔融原料镓的阳极舟、用于连接熔融原料镓和电解正极的阳极板、以及用于连接电解槽中的电解液和电解负极的阴极板,阳极舟位于电解槽内,且电解液没过阳极舟,以将电解槽分为阳极舟内的阳极区和阳极舟外的阴极区,还包括设置在电解槽外部的恒温过滤槽、设置在电解槽阳极区且位于熔融原料镓上方的搅拌器、用于连接电解槽阳极区和恒温过滤槽进液口的抽液管、以及连接过滤恒温槽出液口和电解槽阴极区的回流管。本实用新型能够边搅拌熔融镓边抽取积聚有杂质的电解液,分离出杂质,保持电解液和熔融镓洁净,大大提高了生产效率和生产稳定性,用较低纯度原料制备出5N高纯镓产品。

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