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公开(公告)号：CN114335293B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111630053.8
申请日：2021-12-28
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本申请提供一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法，涉及显示技术领域，包括单色LED阵列芯片以及在单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色LED阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，量子点层包括与第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与第二子像素单元对应的第二量子点材料，单色光与第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。能够提高量子点光转换效率，并且增强显示器件的稳定性及隔热效果。
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公开(公告)号：CN115394738A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211110932.2
申请日：2022-09-13
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本发明实施例提供了一种键合焊点制作方法，涉及焊接技术领域。方法包括：首先，在基板表面制作绝缘层，并在绝缘层开设绝缘通孔；其中，绝缘通孔露出电极层。然后，在绝缘层表面涂布光刻胶，并在光刻胶开设光刻胶通孔，光刻胶通孔位于绝缘通孔的上方，且绝缘通孔的直径小于光刻胶通孔的直径。最后，在光刻胶表面依次沉积金属层和焊料层，以在绝缘通孔内形成具有凹槽的金属柱，焊料层位于凹槽表面。并对焊料层进行回流，以形成具有凹槽结构的键合焊点。由于该键合焊点包括凹槽结构，能够有效防止焊料金属外溢导致器件间短路。
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公开(公告)号：CN114807882A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210487584.4
申请日：2022-05-06
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射靶材、其制备方法及应用，涉及磁控溅射技术领域。磁控溅射靶材的制备方法包括：将前驱体溶液涂布于衬底上，根据磁控溅射设备磁场分布的强度进行厚度的设计，磁场强的区域涂布厚度大，磁场弱的区域涂布厚度小，在涂布过程中通过加热使溶剂挥发并使前驱体部分或全部转化为目标靶材材料，然后在200‑1500℃的条件下烧结，烧结后的靶材进行磁控溅射制备薄膜。相比于现有方法极大地缩短了靶材的制备流程，提升了平面靶材的材料利用率，从而实现溅射薄膜制备成本的降低；相比于采用溶液加工直接沉积制备薄膜的方法，采用溶液加工薄膜靶材溅射制备的薄膜的致密度和附着力均较为理想。
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公开(公告)号：CN114284362A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111611837.6
申请日：2021-12-27
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，该薄膜晶体管及其制备方法在衬底上依次设置栅极、栅绝缘层和半导体层，然后在半导体层的两侧设置源极和漏极，并在半导体层上设置包覆在源极和漏极的钝化层，其中，源极与半导体层的接触界面形成有第一绝缘界面层，在漏极和半导体层的接触界面形成有第二绝缘界面层，通过设置第一绝缘界面层和第二绝缘界面层，能够使得源漏极与半导体层之间形成肖特基势垒，从而形成了肖特基势垒TFT，同时无需额外沉积绝缘层，使得器件成本低廉、可靠性好，并通过形成肖特基势垒能够大幅降低饱和电压，从而减少TFT的工作能耗。
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公开(公告)号：CN114242850A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111490188.9
申请日：2021-12-08
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明的实施例提供了一种微型LED成品及微型LED成品制备方法，涉及显示技术领域。该微型LED成品利用微型LED成品制备方法制得，其中微型LED成品制备方法包括制备微型LED阵列，进而使用电流体喷印设备喷印墨水于上述制备完成的微型LED阵列，使得墨水覆盖于微型LED，以用于制备光透镜。进而对涂覆墨水的微型LED进行加热固化以获得微型LED成品。其通过电流喷印设备对微型LED阵列中的每一个微型LED进行点胶，该电流喷印设备能够使得喷墨的墨滴尺寸小于10μm，从而能够使得微型LED阵列中的每一个单独的微型LED制备光学透镜，减少光的发散，从而提高正面的出光率。
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公开(公告)号：CN112701077A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011576856.5
申请日：2020-12-28
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本申请公开了一种器件转移方法，涉及半导体技术领域。本申请的器件转移方法，利用水解胶层将第一衬底上的器件粘下来，然后将粘下来的器件贴合在第二衬底的粘附层上，以使水解胶层上粘附的器件与粘附层粘合，该粘附层具有不被水溶解和解粘的性质。最后将粘合于一体的临时衬底、第二衬底以及器件放入水中，水解胶层遇水溶解，临时衬底剥落，得到粘附有器件的第二衬底，完成器件的转移。本申请提供的器件转移方法利用水解胶作为转移粘附剂，可在转移后被完全清除，解决部分器件残留在临时衬底上的问题，提高了转移良率。并且水解胶可在临时衬底上大面积涂覆，能够实现大面积巨量转移，从而提高了器件转移效率。
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公开(公告)号：CN114242921B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111496271.7
申请日：2021-12-09
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种发光场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。发光场效应晶体管，包括电子传输层和量子点发光层，电子传输层的材料为CuInSe2纳米晶体，量子点发光层的材料为I‑III‑VI族量子点；其中，I‑III‑VI族量子点的主要材料选自CuInS2、AgInS2和CuGaS2中的至少一种。通过对电子传输层和量子点发光层的材料进行改进，电子传输层采用CuInSe2纳米晶体，量子点发光层采用CuInS2、AgInS2和CuGaS2等I‑III‑VI族量子点，可以制备得到兼具场效应晶体管的开关能力和发光二极管的电致发光特性的高性能电子器件，且不含有镉和铅元素，具有非常好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN115911113A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211528042.3
申请日：2022-11-30
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/45 , H01L21/329 , H01L29/872
摘要： 本申请提供了一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底；然后基于衬底的一侧制作阴极电极，再基于阴极电极的远离衬底的一侧制作半导体层；其中，半导体层与阴极电极形成欧姆接触，接着基于半导体的远离衬底的一侧制作厚度小于预设值的绝缘层，再基于绝缘层的远离衬底的一侧制作阳极电极，其中，阳极电极与半导体层形成肖特基接触，且阳极电极的材料为铜或铜合金，最后对肖特基二极管进行退火。本申请提供的肖特基二极管及其制作方法具有提升了器件电学特性的重复性且降低了成本的优点。
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公开(公告)号：CN114823917A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210569810.3
申请日：2022-05-24
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/12
摘要： 本申请提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底的一侧依次制备氮硅层、栅极、覆盖栅极的栅介质层以及至少覆盖栅介质层的金属氧化物层，使金属氧化物层中与氮硅层接触的部分区域经氮硅层所含有的氢或氟扩散掺杂进行导体化，形成源极区域和漏极区域，该金属氧化物层中与栅介质层接触且未导体化的部分区域即为连通源极区域和漏极区域的半导体区域，栅极、源极区域和漏极区域处于同一氮硅层表面上。因此，该薄膜晶体管器件能够通过极为简单的自对准底栅结构实现较低的寄生电容和较高的工作频率上限，并具有制备工艺简单的特点，可低成本制备高图像显示质量的显示面板。
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公开(公告)号：CN114014277A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111497826.X
申请日：2021-12-09
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。
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