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公开(公告)号：CN110479295B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201910652127.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
IPC: B01J23/843 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种快速水热制备四方晶型铋酸铜光催化剂的方法，包括以下步骤：分别配置五水硝酸铋的乙酸溶液和三水硝酸铜的乙醇溶液，然后将两者搅拌下混合，再向其中逐滴滴加碱液至溶液pH＝14，将上述混合液转移至高压反应釜内90～150℃进行水热反应，然后将所得产物进行离心洗涤、真空干燥，得形貌为哑铃状的四方晶型铋酸铜粉体。制备工艺简单，相比传统水热法反应温度低，且制备时间短，合成的粉体结晶度好，纯度高，晶粒尺寸可控，尺寸比较均匀，且可见光响应性能良好，在650～700nm处有明显的吸收峰，在可见光下与H2O2协同降解亚甲基蓝溶液，30min内降解效率可达90％～100％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109576659A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910022023.5
申请日：2019-01-10
Applicant: 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
Abstract: 本发明公开了一种梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法，采用磁控共溅射法，靶A和靶B分别采用独立的直流溅射电源，并利用溅射功率渐变控制器控制共溅射过程中靶A和靶B的起始溅射功率和功率渐变速率，调控薄膜中金属离子的比例；通过在共溅射过程中控制靶A和靶B溅射组分的溅射功率，从薄膜底部至薄膜顶部形成金属离子A/B比例的梯度变化，在多元金属氧化缺陷容忍度范围内实现金属A/B比例的可控调节，在抑制杂相析出的前提下，制备梯度自掺杂纯相多元金属氧化物。
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公开(公告)号：CN109930135A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910245436.X
申请日：2019-03-28
Applicant: 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种梯度自掺杂多元金属氧化物AxByOz半导体薄膜的喷雾热解制备方法，利用给液流速渐控制器变精确控制A、B前驱体溶液的给液速率，通过调节起始给液速率和给液流速渐变速率，在镀膜过程中调控金属离子的比例，在抑制A或B的一元金属氧化物杂相析出的前提下，实现不同厚度薄膜底部至顶部之间金属离子A/B比例梯度的可控调节，制备从薄膜底部至顶部A/B比例梯度、厚度皆可控的梯度自掺杂多元金属氧化物AxByOz半导体薄膜，该技术不需要依靠高温热扩散辅助形成金属离子A/B可控比例梯度，可以有效避免高温热辅助喷雾热解法中A/B比例梯度不可控、容易出现A或B的一元金属氧化物相分离问题。
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公开(公告)号：CN112144028A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010825523.5
申请日：2020-08-17
Applicant: 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
IPC: C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/16 , C23C14/18 , B82Y40/00 , B01J23/18 , B01J23/843 , B01J37/34 , B01J35/10 , B01J35/06
Abstract: 本发明公开了一种倒置加热制备氧化铋纳米线薄膜的方法，创新性的利用了铋金属熔点低的特性，采用直流磁控溅射方法在倒置基底导电面上沉积铋金属薄膜，通过精确控制倒置加热温度使铋金属薄膜处于半熔融状态，并调控适宜的氧气含量，使半熔融的铋金属在重力和表面张力的共同作用下，生长出具有特殊纳米线结构的氧化铋薄膜，解决了现有技术直流磁控溅射法制备的薄膜往往较为均匀致密，难以构建表面纳米结构的问题。同时创新性的将铋靶材绑定铜背靶增强热传导，配合强制水冷技术用于靶头的冷却，成功的攻克了低熔点的铋靶材在磁控溅射过程中易过热熔化变形的技术难题。
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公开(公告)号：CN110479295A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910652127.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
IPC: B01J23/843 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种快速水热制备四方晶型铋酸铜光催化剂的方法，包括以下步骤：分别配置五水硝酸铋的乙酸溶液和三水硝酸铜的乙醇溶液，然后将两者搅拌下混合，再向其中逐滴滴加碱液至溶液pH＝14，将上述混合液转移至高压反应釜内90～150℃进行水热反应，然后将所得产物进行离心洗涤、真空干燥，得形貌为哑铃状的四方晶型铋酸铜粉体。制备工艺简单，相比传统水热法反应温度低，且制备时间短，合成的粉体结晶度好，纯度高，晶粒尺寸可控，尺寸比较均匀，且可见光响应性能良好，在650～700nm处有明显的吸收峰，在可见光下与H2O2协同降解亚甲基蓝溶液，30min内降解效率可达90％～100％。
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公开(公告)号：CN112144028B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010825523.5
申请日：2020-08-17
Applicant: 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
IPC: C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/16 , C23C14/18 , B82Y40/00 , B01J23/18 , B01J23/843 , B01J37/34 , B01J35/10 , B01J35/06
Abstract: 本发明公开了一种倒置加热制备氧化铋纳米线薄膜的方法，创新性的利用了铋金属熔点低的特性，采用直流磁控溅射方法在倒置基底导电面上沉积铋金属薄膜，通过精确控制倒置加热温度使铋金属薄膜处于半熔融状态，并调控适宜的氧气含量，使半熔融的铋金属在重力和表面张力的共同作用下，生长出具有特殊纳米线结构的氧化铋薄膜，解决了现有技术直流磁控溅射法制备的薄膜往往较为均匀致密，难以构建表面纳米结构的问题。同时创新性的将铋靶材绑定铜背靶增强热传导，配合强制水冷技术用于靶头的冷却，成功的攻克了低熔点的铋靶材在磁控溅射过程中易过热熔化变形的技术难题。
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