梯度自掺杂多元金属氧化物半导体薄膜的喷雾热解制备方法

    公开(公告)号:CN109930135A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201910245436.X

    申请日:2019-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种梯度自掺杂多元金属氧化物AxByOz半导体薄膜的喷雾热解制备方法,利用给液流速渐控制器变精确控制A、B前驱体溶液的给液速率,通过调节起始给液速率和给液流速渐变速率,在镀膜过程中调控金属离子的比例,在抑制A或B的一元金属氧化物杂相析出的前提下,实现不同厚度薄膜底部至顶部之间金属离子A/B比例梯度的可控调节,制备从薄膜底部至顶部A/B比例梯度、厚度皆可控的梯度自掺杂多元金属氧化物AxByOz半导体薄膜,该技术不需要依靠高温热扩散辅助形成金属离子A/B可控比例梯度,可以有效避免高温热辅助喷雾热解法中A/B比例梯度不可控、容易出现A或B的一元金属氧化物相分离问题。

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