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公开(公告)号：CN104193420A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410333087.4
申请日：2014-07-14
IPC分类号： C04B41/89
摘要： 一种碳/碳复合材料的多层涂层及其制备方法。所述多层涂层依次由在碳/碳复合材料基体上的SiC底层、SiC过渡层和SiC层/陶瓷层交替层构成。所述的碳/碳复合材料多层涂层的制备方法是SiC底层的制备方法为刷涂法、喷涂法或磁控溅射法。SiC过渡层和SiC层/陶瓷层交替层的制备依次方法为：将带有SiC底层的碳/碳复合材料用丙酮超声清洗，烘干；采用离子源溅射清洗；采用磁控溅射法制备SiC过渡层和SiC层/陶瓷层交替层。本发明制备的多层涂层在1500℃下具有良好的抗氧化性能和抗热震性能。本发明的制备方法具有厚度可控的特点，制备的涂层厚度均匀性好。
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公开(公告)号：CN104357784A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410689817.4
申请日：2014-11-26
摘要： 一种在半导体材料表面制备厚镍涂层的方法。其特征在于将N型或P型Bi2Te3材料脱脂除油后；用46#锆刚玉，吹砂压力0.1～0.2MPa，喷距150～200mm，角度45～80°吹砂；采用等离子喷枪电流500～700A，氢气5～7L/min，氩气40～60L/min；喷涂粉末为纯度≥99%的工业纯镍粉，粒度-45+15μm，送粉速率80～120g/min；喷距150～180mm，走枪速度800～2000mm/s，每遍沉积10～20μm，得到涂层总厚度20～80μm的镍涂层。本发明的方法可在半导体材料表面获得厚度大于20μm以上的厚镍涂层，涂层沉积效率高、速度快，厚度均匀，对喷涂原料要求不高，涂层与半导体材料的结合力优良。
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公开(公告)号：CN104193420B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410333087.4
申请日：2014-07-14
IPC分类号： B32B9/00
摘要： 一种碳/碳复合材料多层涂层及其制备方法。所述多层涂层依次由在碳/碳复合材料基体上的SiC底层、SiC过渡层和陶瓷层/SiC层交替层构成。所述的碳/碳复合材料多层涂层的制备方法是SiC底层的制备方法为刷涂法、喷涂法或磁控溅射法。SiC过渡层和陶瓷层/SiC层交替层的制备依次方法为：将带有SiC底层的碳/碳复合材料用丙酮超声清洗，烘干；采用离子源溅射清洗；采用磁控溅射法制备SiC过渡层和陶瓷层/SiC层交替层。本发明制备的多层涂层在1500℃下具有良好的抗氧化性能和抗热震性能。本发明的制备方法具有厚度可控的特点，制备的涂层厚度均匀性好。
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公开(公告)号：CN104496470A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410774479.4
申请日：2014-12-16
IPC分类号： C04B35/488 , C04B35/622
摘要： 一种高弹性纳米氧化锆基陶瓷的制备方法，其步骤如下：将不锈钢基体依次用汽油和酒精进行超声波除污清洗，抛光，粗粗度在0～2μm，表面喷洒3.5%NaCl的盐水；把带有NaCl的不锈钢基体置于等离子喷涂-物理沉积设备中，抽真空至0.5mbar，充入氩气至35mbar，再抽真空至0.5～2.5mbar；以粒径5~22μm的7wt%Y2O3-ZrO2 (7YSZ)粉末，喷涂功率100～160kW，等离子体气体Ar流量30～45SLPM，He流量60～80SLPM，送粉率15～20g/min，喷涂距离2.0～2.2m，喷涂涂层，喷涂厚度150～450μm；喷涂完成后，放入水中浸泡，从不锈钢基体上剥离，即得本发明所述的高弹性纳米氧化锆基陶瓷。本发明方法效率高、成本低且能工业化生产，制备的纳米陶瓷在室温下具有高弹性。
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公开(公告)号：CN104087936A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410332681.1
申请日：2014-07-14
IPC分类号： C23C28/04
摘要： 一种碳基复合材料抗烧蚀涂层的制备方法，其特征是步骤如下：将碳基复合材料表面用砂纸打磨掉表面的毛刺，用丙酮超声清洗后烘烤，将烘干后的碳基复合材料放入真空室，压力＜5×10-3Pa，通入Ar气至2～4×10-1Pa，用离子源结合偏压轰击清洗碳基复合材料表面；在氩气环境，气压0.2～2.0Pa，偏压50～200V，SiC靶功率4～12A/cm2，制备SiC层；以ZrB2-MoSi2粉末为热喷涂材料，喷涂电压60～70V，喷涂压力10～100kPa，喷涂电流600～700A，氩气流量35～45l/min，氢气流量为5～15l/min，送粉末的氩气流量2～4l/min，粉末流量5～30g/min，喷涂距离100～300mm，制备ZrB2-MoSi2涂层。本发明的涂层具有结合强度高、抗冲刷性能优良、对碳基复合材料高温防护效果显著的特点。
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公开(公告)号：CN104902666B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201510260108.9
申请日：2015-05-21
摘要： 一种双气流超音速等离子喷枪，包括阴极杆、起弧中间极、加速中间极和阳极，阳极上设置有送粉嘴，起弧中间极、加速中间极和阳极内同轴地设置有一相互连通的供等离子气流穿过的腔道，阴极杆设置在一绝缘后座内且该阴极杆靠近起弧中间极的一端设置有钨阴极和用于通入氩气的氩气气体分配环，绝缘后座内设置有高频发生器接头及与氩气气体分配环相连通的氩气输入通道，起弧中间极和加速中间极设置在一中间极座上且在起弧中间极与加速中间极之间设置有用于通入空气和可燃气体形成的混合气体的空气气体分配环。本发明解决了纯空气超音速等离子设备的阴极寿命短的问题，且与纯氩气超音速等离子设备相比，生产成本大幅降低，还可通过空气与可燃气体比调节等离子体温度和速度，工艺性强。
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公开(公告)号：CN104878343A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510252559.8
申请日：2015-05-18
摘要： 本发明涉及一种金刚石/铜复合材料表面铜涂层制备方法，属于材料表面处理技术领域。其特征在于将金刚石/铜复合材料基体脱脂除油后，喷砂处理，然后采用低温超音速火焰喷涂或冷喷涂在金刚石/铜复合材料表面制备纯铜涂层。本发明提供一种高效率低成本的在金刚石/铜复合材料基体上金属涂层制备方法，制备出与基体结合良好、热震性能优异、热导率高、低氧含量且焊接性能大幅改善的致密纯铜涂层。
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公开(公告)号：CN104357784B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410689817.4
申请日：2014-11-26
摘要： 一种在半导体材料表面制备厚镍涂层的方法。其特征在于将N型或P型Bi2Te3材料脱脂除油后；用46#锆刚玉，吹砂压力0.1～0.2MPa，喷距150～200mm，角度45～80°吹砂；采用等离子喷枪电流500～700A，氢气5～7L/min，氩气40～60L/min；喷涂粉末为纯度≥99%的工业纯镍粉，粒度‑45+15μm，送粉速率80～120g/min；喷距150～180mm，走枪速度800～2000mm/s，每遍沉积10～20μm，得到涂层总厚度20～80μm的镍涂层。本发明的方法可在半导体材料表面获得厚度大于20μm以上的厚镍涂层，涂层沉积效率高、速度快，厚度均匀，对喷涂原料要求不高，涂层与半导体材料的结合力优良。
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公开(公告)号：CN104496470B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410774479.4
申请日：2014-12-16
IPC分类号： C04B35/488 , C04B35/622
摘要： 一种高弹性纳米氧化锆基陶瓷的制备方法，其步骤如下：将不锈钢基体依次用汽油和酒精进行超声波除污清洗，抛光，粗糙度在0～2μm，表面喷洒3.5%NaCl的盐水；把带有NaCl的不锈钢基体置于等离子喷涂-物理沉积设备中，抽真空至0.5mbar，充入氩气至35mbar，再抽真空至0.5～2.5mbar；以粒径5~22μm的7wt%Y2O3-ZrO2 (7YSZ)粉末，喷涂功率100～160kW，等离子体气体Ar流量30～45SLPM，He流量60～80SLPM，送粉率15～20g/min，喷涂距离2.0～2.2m，喷涂涂层，喷涂厚度150～450μm；喷涂完成后，放入水中浸泡，从不锈钢基体上剥离，即得本发明所述的高弹性纳米氧化锆基陶瓷。本发明方法效率高、成本低且能工业化生产，制备的纳米陶瓷在室温下具有高弹性。
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公开(公告)号：CN104902666A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510260108.9
申请日：2015-05-21
摘要： 一种双气流超音速等离子喷枪，包括阴极杆、起弧中间极、加速中间极和阳极，阳极上设置有送粉嘴，起弧中间极、加速中间极和阳极内同轴地设置有一相互连通的供等离子气流穿过的腔道，阴极杆设置在一绝缘后座内且该阴极杆靠近起弧中间极的一端设置有钨阴极和用于通入氩气的氩气气体分配环，绝缘后座内设置有高频发生器接头及与氩气气体分配环相连通的氩气输入通道，起弧中间极和加速中间极设置在一中间极座上且在起弧中间极与加速中间极之间设置有用于通入空气和可燃气体形成的混合气体的空气气体分配环。本发明解决了纯空气超音速等离子设备的阴极寿命短的问题，且与纯氩气超音速等离子设备相比，生产成本大幅降低，还可通过空气与可燃气体比调节等离子体温度和速度，工艺性强。
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