一种半导体芯片废料回收的方法

    公开(公告)号:CN115232970B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202210888787.4

    申请日:2022-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片废料回收的方法,涉及回收技术领域。本发明提供了一种半导体芯片废料回收的方法,包括以下步骤:(1)将半导体芯片废料预处理,得到半导体芯片废料粉末;(2)将半导体芯片废料粉末和酸混合,得到混合物;将氧化剂滴加到所述混合物中进行反应,过滤得到滤渣和滤液;所述氧化剂的滴加速度为0.5‑1mL/min;(3)将所述滤渣和滤液分别处理,完成半导体芯片废料的回收。本发明提供的一种半导体芯片废料回收的方法,整个工艺考虑到废料中有价金属以及有害元素的分离回收,具有良好的经济效益和环境效益。

    分离回收金属银、镓的方法

    公开(公告)号:CN113355701A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110591973.7

    申请日:2021-05-28

    Abstract: 本公开提供了一种分离回收金属银、镓的方法,包括步骤:S1:将含有银镓的废料与碱料混合均匀后进行熔炼;S2:将步骤S1经过熔炼后得到的浮渣用碱液浸泡、过滤,然后将浸出液进行电沉积得到金属镓;S3:将步骤S1经过熔炼后得到的银锭作为阳极,硝酸银作为电解液,电解提纯金属银。本公开提供的分离回收金属银、镓的方法是通过火法与湿法工艺结合,能快速分离回收银、镓,整个工艺过程耗酸少、速度快,可以减少银粉的囤积,回收得到的产品纯度好。

    从氧化锇物料中制备锇粉的方法

    公开(公告)号:CN114433863A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210131462.1

    申请日:2022-02-11

    Abstract: 本公开提供了一种从氧化锇物料中制备锇粉的方法,包括以下步骤:步骤一,氧化锇物料加水调浆后,加入氢氧化钠溶液;步骤二,通入氯气进行蒸馏,氯气流量10‑40L/min;步骤三,蒸馏挥发出的四氧化锇气体,用酒精+氢氧化钠溶液进行一级吸收和二级吸收,形成锇吸收液;步骤四,步骤三中锇吸收液的锇浓度达到20‑30g/L后,使用浓盐酸调节锇吸收液pH至5‑6,后通过水合肼还原至溶液pH至8‑9,得到锇黑;步骤五,锇黑经酒精洗涤后,经氢气低温干燥、高温氢还原得到锇粉。本公开的制备方法工艺流程简单,操作方便,锇蒸馏效率高,产品质量稳定,环境污染小。

    一种半导体芯片废料回收的方法

    公开(公告)号:CN115232970A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210888787.4

    申请日:2022-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片废料回收的方法,涉及回收技术领域。本发明提供了一种半导体芯片废料回收的方法,包括以下步骤:(1)将半导体芯片废料预处理,得到半导体芯片废料粉末;(2)将半导体芯片废料粉末和酸混合,得到混合物;将氧化剂滴加到所述混合物中进行反应,过滤得到滤渣和滤液;所述氧化剂的滴加速度为0.5‑1mL/min;(3)将所述滤渣和滤液分别处理,完成半导体芯片废料的回收。本发明提供的一种半导体芯片废料回收的方法,整个工艺考虑到废料中有价金属以及有害元素的分离回收,具有良好的经济效益和环境效益。

    一种低温火法富集氧化锆渣中铂族金属的方法

    公开(公告)号:CN114959292A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210600676.9

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明提供了一种用于富集氧化锆渣中铂族金属的制剂,按重量份数计,包括10~30重量份的捕集剂、11~20重量份的造渣剂、2~3重量份的还原剂以及5~15重量份的助熔剂;其中,所述捕集剂为锌;所述助熔剂为氧化硼。本发明以锌粉作为捕集剂,结合了贵金属的捕集和碎化两个过程,使用了与捕集剂熔点相近的助熔剂氧化硼,配合硼砂等熔点也较低的造渣剂,使得捕集过程中有一个较低的温度要求,从而解决了现有其他捕集工艺方法使用重金属捕集的污染问题及高温高能耗问题;而且使用锌作为捕集剂,不会导致熔渣掺有重金属的风险,对后续处理熔渣的处理不会带来额外的处理成本。此外,本发明还可用于含有一种或多种铂族金属物料的富集回收。

    一种低温火法富集氧化锆渣中铂族金属的方法

    公开(公告)号:CN114959292B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202210600676.9

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明提供了一种用于富集氧化锆渣中铂族金属的制剂,按重量份数计,包括10~30重量份的捕集剂、11~20重量份的造渣剂、2~3重量份的还原剂以及5~15重量份的助熔剂;其中,所述捕集剂为锌;所述助熔剂为氧化硼。本发明以锌粉作为捕集剂,结合了贵金属的捕集和碎化两个过程,使用了与捕集剂熔点相近的助熔剂氧化硼,配合硼砂等熔点也较低的造渣剂,使得捕集过程中有一个较低的温度要求,从而解决了现有其他捕集工艺方法使用重金属捕集的污染问题及高温高能耗问题;而且使用锌作为捕集剂,不会导致熔渣掺有重金属的风险,对后续处理熔渣的处理不会带来额外的处理成本。此外,本发明还可用于含有一种或多种铂族金属物料的富集回收。

    一种用于分离芯片废料与蓝膜的分离装置及分离系统

    公开(公告)号:CN216726094U

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202122753740.0

    申请日:2021-11-10

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于分离芯片废料与蓝膜的分离装置,旨在提高芯片废料与蓝膜的分离效率,其技术方案:一种用于分离芯片废料与蓝膜的分离装置,包括釜体,所述釜体上设有盖体,所述釜体内设有一桶体,所述桶体内设有一可拆卸的带有网孔的篮体,所述篮体用于装载带有芯片废料的外设蓝膜,所述桶体通过一驱动装置驱动可转动;桶体转动使篮体内的带有芯片废料的蓝膜做离心运动,使得芯片废料与外设蓝膜分离并穿过网孔进入到桶体内;还公开了一种分离系统,可对辅助分离芯片废料与蓝膜的外设试剂进行回收,降低生产成本;属于芯片废料处理技术领域。

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