公开(公告)号：CN114566574A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210184601.7

申请日：2022-02-25

Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 刘锐森 ,  孙钱 ,  黄应南 ,  杨勇

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请公开了一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法。所述AlGaN基紫外LED外延结构包括沿一指定方向依次设置的N型AlbGa1‑bN层、多量子阱有源区、P型AlcGa1‑cN电子阻挡层和P型GaN接触层；所述多量子阱有源区包括交替生长的多个AlxGa1‑xN量子阱层和多个AlyGa1‑yN量子垒层，其中在所述指定方向上的最后一个AlxGa1‑xN量子阱层掺杂有Si，其中0＜(x、y)≤1。较之现有技术，本申请AlGaN基紫外LED外延结构的光输出功率有显著提升。

公开(公告)号：CN117438513A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210838225.9

申请日：2022-07-14

Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 刘锐森 ,  孙钱 ,  黄应南 ,  杨勇 ,  杨辉

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请公开了一种UVB‑LED外延结构及其制备方法。所述外延结构包括沿指定方向依次生长的AlN层、应力调控层、N型AlGaN欧姆接触层、多量子阱有源区、P型电子阻挡层、P型空穴注入层和P型欧姆接触层。所述应力调控层由不同Al含量、不同厚度的第一AlxInyGa1‑x‑yN子层和第二AlxInyGa1‑x‑yN子层交叠生长组成，0＜x＜1，0≤y≤0.1，0＜(1‑x‑y)＜1。本申请通过在UVB‑LED外延结构的AlN层和N型AlGaN欧姆接触层之间设置应力调控层，并通过对应力调控层中的Al含量进行调制，可以缓解或消除因N型AlGaN欧姆接触层与AlN层的晶格常数差异大而导致的压应力大等问题，有效调控表面形貌，从而显著改善N型AlGaN层的生长质量，大幅提高UVB‑LED的发光效率和光输出功率。