一种由MOF材料衍生的Ni / N-C NW的析氧催化剂

    公开(公告)号:CN110038643A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910343510.1

    申请日:2019-04-26

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于电催化析氧领域,是一种由MOF材料衍生的掺氮碳纳米线负载Ni的混合材料(Ni/N-C NW)析氧催化剂。本发明针对贵金属催化剂成本高以及非贵金属材料催化活性低的不足,提供了一种Ni/N-C NW的电催化析氧材料及其制备方法,本发明以Ni-MOF材料为前驱体,通过加热分解得到其衍生材料,该过程使混合材料提供更多活性位点。采用本发明制备的Ni/N-C NW混合材料具有稳定性高,催化活性好的优点。同时本发明使用的非贵金属Ni在我国储量丰富,价格低廉,是一种实际可用的优质材料。

    树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备

    公开(公告)号:CN107238643B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201710315118.7

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    Abstract: 本发明涉及一种树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法,包括以下步骤:制备包埋有非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚和L‑色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极、制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极。本发明的有益效果:树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法廉价、环保、简单。

    树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备

    公开(公告)号:CN107238643A

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201710315118.7

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    CPC classification number: G01N27/3275

    Abstract: 本发明涉及一种树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法,包括以下步骤:制备包埋有非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚和L‑色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极、制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极。本发明的有益效果:树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法廉价、环保、简单。

    一种适用于边坡支架加固的焊接装置

    公开(公告)号:CN118268787A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410335084.8

    申请日:2024-03-22

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种适用于边坡支架加固的焊接装置,涉及边坡防护技术领域,包括工作单元,所述工作单元包括工作台组件和连接在工作台组件上的输送组件,所述工作台组件的上端连接有工作盖板;所述工作台组件包括工作台本体和安装在工作台本体内部的运输齿轮;所述输送组件包括输送道和连接在输送道内部的输送限位轨道;安装单元,所述安装单元包括安装盘组件和设置在安装盘组件上的边坡支架本体,所述安装盘组件上连接有支架固定组件,且安装盘组件上开设有焊接槽口;焊接单元,所述焊接单元包括焊接安装组件和安装在焊接安装组件内部的焊接组件;解决了现有焊接装置难以保证焊接的精度,同时对边坡支架的焊接不能进行连续处理的问题。

    分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备

    公开(公告)号:CN107219277B

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201710315123.8

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    Abstract: 本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备方法,包括以下步骤:制备聚对氨基苯磺酸修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极。本发明的有益效果:分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备过程简单环保无污染。此外,聚对氨基苯磺酸的引入可增加与色氨酸三维空间匹配的空腔数量,从而得到的分子印迹材料对于色氨酸对映体的识别效率显著提升。

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