公开(公告)号：CN105092682B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510536308.2

申请日：2015-08-27

Applicant: 常州大学

Inventor： 陈智栋 ,  张静 ,  王文昌 ,  张士博

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/333

Abstract: 本发明涉及电化学分析测试技术领域，具体涉及一种通过溶胶法印迹天冬氨酸光学异构体(如L‑Asp)、铜离子和N‑苄氧羰基(CBZ)‑L‑天冬氨酸(L‑Asp)三元络合物的方法，将该溶胶修饰于电极，通过在电极上构筑具有L‑Asp‑Cu2+‑N‑CBZ‑L‑Asp空间结构，由于N‑CBZ‑L‑Asp上苯环与D‑Asp上羧基的空间位阻，在水溶液中L‑Asp‑Cu2+‑N‑CBZ‑L‑Asp三元络合物的稳定性大于D‑Asp‑Cu2+‑N‑CBZ‑L‑Asp三元络合物，印迹电极在溶液中对L‑Asp‑Cu2+‑N‑CBZ‑L‑Asp三元络合物的吸附量远大于对D‑Asp‑Cu2+‑N‑CBZ‑L‑Asp，进而导致印迹电极中铜离子的浓度不同，以铜离子为探针，通过铜离子的还原电流的测量，实现对天冬氨酸光学异构体的选择性识别。

公开(公告)号：CN105092682A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510536308.2

申请日：2015-08-27

Applicant: 常州大学

Inventor： 陈智栋 ,  张静 ,  王文昌 ,  张士博

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/333

Abstract: 本发明涉及电化学分析测试技术领域，具体涉及一种通过溶胶法印迹天冬氨酸光学异构体(如L-Asp)、铜离子和N-苄氧羰基(CBZ)-L-天冬氨酸(L-Asp)三元络合物的方法，将该溶胶修饰于电极，通过在电极上构筑具有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp空间结构，由于N-CBZ-L-Asp上苯环与D-Asp上羧基的空间位阻，在水溶液中L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的稳定性大于D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物，印迹电极在溶液中对L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的吸附量远大于对D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp，进而导致印迹电极中铜离子的浓度不同，以铜离子为探针，通过铜离子的还原电流的测量，实现对天冬氨酸光学异构体的选择性识别。