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公开(公告)号：CN105734490B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610121455.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及薄膜太阳电池制备技术领域，特指一种提高Cu2ZnSnS4半导体薄膜载流子迁移率的方法。其特征在于：在清洗后钠钙玻璃(SLG)上制备Si薄膜，在Si薄膜上制备CZT前驱体薄膜，将制备好的CZT前驱体薄膜在通有H2S的退火炉中高温退火，得到CZTS半导体薄膜；利用Si去替位Sn，Si的掺杂在晶粒与晶粒之间形成了快速通道，从而提高了载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN105908132A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610119256.3
申请日：2016-03-02
Applicant: 常州大学
CPC classification number: C23C14/185 , C23C14/352 , C23C14/5866
Abstract: 本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术领域，特指一种新型半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料及其制备方法。采用磁控溅射多靶沉积方法，在钠钙玻璃(SLG)衬底表面采用三靶共溅Cu、Zn、Ti制备CZTi前驱体薄膜；将得到的CZT前躯体薄膜在510℃温度下的H2S气氛中保温2个小时，即制备得到Cu2ZnTiS4半导体薄膜。采用本方法制备得到的Cu2ZnTiS4半导体薄膜是一种厚度为200?2000nm，光学吸收系数为104cm?1，载流子类型为P型的，具有延展性的半导体薄膜材料，对于实现薄膜材料完全柔性化具有十分重要的科学意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN108054281B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711192942.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 常州大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明涉及利用低温溶液反应制备SnO2薄膜的方法，首先制备四氯化锡水溶液，然后制备电子传输层SnO2薄膜。本发明还涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，在FTO导电玻璃基底上利用上述SnO2薄膜的制备方法制备SnO2薄膜电子传输层；在SnO2薄膜电子传输层上用旋涂法形成MAPbI3钙钛矿光吸收层；再在MAPbI3钙钛矿光吸收层上采用旋涂法制得空穴传输层；在空穴传输层上用真空蒸镀法蒸镀金属电极，形成钙钛矿薄膜电池。该方法简单，易于操作，并且薄膜的均匀性较好，重复性高，在半导体等光电领域的发展具有科学意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106384760A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611041994.7
申请日：2016-11-24
Applicant: 常州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/032
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/0326 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种制备Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池的方法，首先，提供SLG衬底；在所述SLG衬底上磁控溅射Mo靶材形成Mo电极层；然后，在所述Mo电极层上依次溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材，形成叠层AZT前驱体结构；在所述叠层AZT前驱体结构上共同溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材，形成AZT前躯体薄膜；将所述AZT前躯体薄膜硫化退火，形成AZTS半导体薄膜；接着，在所述AZTS半导体薄膜上溅射形成本征ZnO层；在所述本征ZnO层上溅射形成ITO层；最后，在ITO层上蒸发制备银电极层，形成Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池。该方法简单，易于操作，制备得到的AZTS同质结电池，在半导体领域等方面的发展具有十分重要的科学意义。
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公开(公告)号：CN105734490A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610121455.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 常州大学
CPC classification number: C23C14/0623 , C23C14/3464 , C23C14/5806
Abstract: 本发明涉及薄膜太阳电池制备技术领域，特指一种提高Cu2ZnSnS4半导体薄膜载流子迁移率的方法。其特征在于：在清洗后钠钙玻璃(SLG)上制备Si薄膜，在Si薄膜上制备CZT前驱体薄膜，将制备好的CZT前驱体薄膜在通有H2S的退火炉中高温退火，得到CZTS半导体薄膜；利用Si去替位Sn，Si的掺杂在晶粒与晶粒之间形成了快速通道，从而提高了载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN108054281A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711192942.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 常州大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明涉及利用低温溶液反应制备SnO2薄膜的方法，首先制备四氯化锡水溶液，然后制备电子传输层SnO2薄膜。本发明还涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，在FTO导电玻璃基底上利用上述SnO2薄膜的制备方法制备SnO2薄膜电子传输层；在SnO2薄膜电子传输层上用旋涂法形成MAPbI3钙钛矿光吸收层；再在MAPbI3钙钛矿光吸收层上采用旋涂法制得空穴传输层；在空穴传输层上用真空蒸镀法蒸镀金属电极，形成钙钛矿薄膜电池。该方法简单，易于操作，并且薄膜的均匀性较好，重复性高，在半导体等光电领域的发展具有科学意义。
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公开(公告)号：CN105908132B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610119256.3
申请日：2016-03-02
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术领域，特指一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料及其制备方法。采用磁控溅射多靶沉积方法，在钠钙玻璃(SLG)衬底表面采用三靶共溅Cu、Zn、Ti制备CZTi前驱体薄膜；将得到的CZT前躯体薄膜在510℃温度下的H2S气氛中保温2个小时，即制备得到Cu2ZnTiS4半导体薄膜。采用本方法制备得到的Cu2ZnTiS4半导体薄膜是一种厚度为200‑2000nm，光学吸收系数为104cm‑1，载流子类型为P型的，具有延展性的半导体薄膜材料，对于实现薄膜材料完全柔性化具有十分重要的科学意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN106384760B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201611041994.7
申请日：2016-11-24
Applicant: 常州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/032
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种制备Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池的方法，首先，提供SLG衬底；在所述SLG衬底上磁控溅射Mo靶材形成Mo电极层；然后，在所述Mo电极层上依次溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材，形成叠层AZT前驱体结构；在所述叠层AZT前驱体结构上共同溅射SnS、ZnS、Ag三种靶材，形成AZT前驱体薄膜；将所述AZT前驱体薄膜硫化退火，形成AZTS半导体薄膜；接着，在所述AZTS半导体薄膜上溅射形成本征ZnO层；在所述本征ZnO层上溅射形成ITO层；最后，在ITO层上蒸发制备银电极层，形成Ag2ZnSnS4同质结薄膜电池。该方法简单，易于操作，制备得到的AZTS同质结电池，在半导体领域等方面的发展具有十分重要的科学意义。
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