公开(公告)号：CN116516482A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310432270.9

申请日：2023-04-21

申请人： 常州大学

发明人： 蔡盈盈 ,  倪峻泽 ,  尤樱樱 ,  王志华 ,  刘宜霖 ,  张汉平

IPC分类号： C30B29/16 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/485 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/054 ,  C30B27/00

摘要： 本发明属于电极材料领域，具体涉及一种过渡金属单晶氧化物前体的制备方法及用该前体制备的单晶电极材料。用特定气氛和温度，处理过渡金属含氧化合物，得到调控的过渡金属单晶氧化物前体；再通过煅烧过渡金属的单晶氧化物前体和含活性离子的化合物，进一步得到含有活性离子的单晶电极材料。本发明制备的单晶材料，形貌规则，分散性好，粒径分布范围窄，有效提高了电极材料的结构稳定性。

公开(公告)号：CN117954596A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410046276.7

申请日：2024-01-12

申请人： 常州大学

发明人： 蔡盈盈 ,  尤樱樱 ,  倪峻泽 ,  陈馨语 ,  熊千卉 ,  胡思齐 ,  李亚慧 ,  张汉平

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/052 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328

摘要： 本发明公开了一种可转变类型的异质结材料的制备方法及其应用，属于半导体技术领域。采用简单溶液局部浸渍法，在基底材料表面复合上CeO2掺杂材料，再经过烧结进一步固化，得到可转变类型的异质结材料。由本发明方法制备的异质结，能使掺杂材料中同一元素不同价态的离子之间更容易进行可逆电荷转移，从而有效提高光电化学性能，且工艺简单，在逻辑电路、光电领域中具有很大的应用前景。

公开(公告)号：CN117199305A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311258849.4

申请日：2023-09-27

申请人： 常州大学

发明人： 倪峻泽 ,  蔡盈盈 ,  尤樱樱 ,  陈馨语 ,  熊千卉 ,  张汉平

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/62 ,  H01M10/054

摘要： 本发明公开了一种钠离子电池正极材料及其制备方法与应用，所述钠离子电池正极材料由NaaNibMncMdO2基体及表面的金属氧化物、还原氧化石墨烯微量包覆组成。本发明制备的钠离子电池正极材料通过金属氧化物、还原氧化石墨烯微量包覆的协同作用，发明的负载包覆量少，使电池在高电流密度充放电下仍具有较长的循环寿命，并具有较高的放电比容量。