- 专利标题： 一种过渡金属单晶氧化物前体的制备方法及用该前体制备的单晶电极材料
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申请号： CN202310432270.9申请日： 2023-04-21
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公开(公告)号： CN116516482A公开(公告)日： 2023-08-01
- 发明人: 蔡盈盈 , 倪峻泽 , 尤樱樱 , 王志华 , 刘宜霖 , 张汉平
- 申请人： 常州大学
- 申请人地址： 江苏省常州市武进区滆湖路21号
- 专利权人： 常州大学
- 当前专利权人： 常州大学
- 当前专利权人地址： 江苏省常州市武进区滆湖路21号
- 代理机构： 常州市英诺创信专利代理事务所
- 代理商 李楠
- 主分类号： C30B29/16
- IPC分类号： C30B29/16 ; H01M4/525 ; H01M4/505 ; H01M4/485 ; H01M10/052 ; H01M10/0525 ; H01M10/054 ; C30B27/00
摘要：
本发明属于电极材料领域，具体涉及一种过渡金属单晶氧化物前体的制备方法及用该前体制备的单晶电极材料。用特定气氛和温度，处理过渡金属含氧化合物，得到调控的过渡金属单晶氧化物前体；再通过煅烧过渡金属的单晶氧化物前体和含活性离子的化合物，进一步得到含有活性离子的单晶电极材料。本发明制备的单晶材料，形貌规则，分散性好，粒径分布范围窄，有效提高了电极材料的结构稳定性。
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