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公开(公告)号：CN106132694B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580016029.1
申请日：2015-03-27
CPC classification number: C08J7/045 , B05D3/0254 , B05D7/02 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2369/00 , C08J2433/08 , C08J2483/04 , C09D183/04 , C23C16/02 , C23C16/0254 , C23C16/0272 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/56 , C23C18/122 , C23C18/1233 , C23C18/1254 , H01J37/32091 , C08K3/36
Abstract: 本发明实现兼具高的耐环境性和高度的耐磨性的带有硬涂层的高分子基板。一种带有硬涂层的高分子基板，具备厚度1～20mm的高分子基板(60)以及在其表面上的硬涂层(70、80)。该带有硬涂层的高分子基板中，硬涂层(70、80)具备基底固化层(70)和氧化硅层(80)而成：基底固化层(70)层叠于高分子基板的表面上，含有有机硅化合物的水解缩合物作为主成分，厚度为0.1～20μm，氧化硅层(80)在与高分子基板为相反侧与基底固化层直接接触，通过有机硅化合物的PE‑CVD法而形成，且满足下述(a)～(c)的全部条件：(a)氧化硅层的膜厚为3.5～9.0μm的范围；(b)在最大负荷1mN条件下利用纳米压痕测定的氧化硅层的表面的最大压入深度为150nm以下；(c)在给予将层叠有氧化硅层的面成为凹的压入位移的带有硬涂层的高分子基板的3点弯曲试验中，氧化硅层的临界压缩率K的值为0.975以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110461589A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880019402.2
申请日：2018-03-28
IPC: B32B9/00 , B32B27/00 , B32B27/30 , C09D133/04 , C09D183/04 , C23C16/42
Abstract: 本发明涉及一种带有硬涂层的高分子基板，依次将高分子基板、基底固化层和氧化硅层直接层叠而成，其中，上述基底固化层的厚度为1～20μm，且含有多官能丙烯酸酯10～90重量份、无机氧化物微粒和/或硅化合物水解缩合物90～10重量份，或者含有有机硅化合物的水解缩合物作为主成分，上述氧化硅层在从上述基底固化层与上述氧化硅层的界面沿厚度方向0.04μm的位置满足下述(a1)的条件，且在与上述界面相反侧的表面满足下述(a3)的条件：(a1)由SiOxCyHz化学组成表示时，x为1.93～1.98的范围，y为0.04～0.15的范围，且z为0.10～0.50的范围，(a3)由SiOxCyHz表示化学组成时，x为1.94～2.02的范围，y为0.05～0.16的范围，且z为0.20～0.50的范围。
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公开(公告)号：CN108093628B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201680055280.3
申请日：2016-09-23
Abstract: 本发明实现一种兼具高的耐环境性、耐磨性的带有硬涂层的高分子基板。高分子基板(60)为厚度1～20mm，其表面上的硬涂层(70、80)具备基底固化层(70)和氧化硅层(80)而成，上述基底固化层(70)含有多官能丙烯酸酯10～90重量份、无机氧化物微粒和/或硅化合物水解缩合物90～10重量份且厚度为1～20μm，上述氧化硅层(80)与基底固化层直接接触，通过以有机硅化合物为原料的PE‑CVD法而形成，且满足下述(a)～(c)的全部条件：(a)氧化硅层的膜厚为3.5～9.0μm；(b)在最大负荷1mN条件利用纳米压痕测定的氧化硅层的表面的最大压入深度为150nm以下；以及(c)在给予将层叠有氧化硅层的面成为凹的压入位移的带有硬涂层的高分子基板的3点弯曲试验中，氧化硅层的临界压缩率K的值为0.975以下。
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公开(公告)号：CN106132694A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016029.1
申请日：2015-03-27
CPC classification number: C08J7/045 , B05D3/0254 , B05D7/02 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2369/00 , C08J2433/08 , C08J2483/04 , C09D183/04 , C23C16/02 , C23C16/0254 , C23C16/0272 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/56 , C23C18/122 , C23C18/1233 , C23C18/1254 , H01J37/32091 , C08K3/36
Abstract: 本发明实现兼具高的耐环境性和高度的耐磨性的带有硬涂层的高分子基板。一种带有硬涂层的高分子基板，具备厚度1～20mm的高分子基板(60)以及在其表面上的硬涂层(70、80)。该带有硬涂层的高分子基板中，硬涂层(70、80)具备基底固化层(70)和氧化硅层(80)而成：基底固化层(70)层叠于高分子基板的表面上，含有有机硅化合物的水解缩合物作为主成分，厚度为0.1～20μm，氧化硅层(80)在与高分子基板为相反侧与基底固化层直接接触，通过有机硅化合物的PE‑CVD法而形成，且满足下述(a)～(c)的全部条件：(a)氧化硅层的膜厚为3.5～9.0μm的范围；(b)在最大负荷1mN条件下利用纳米压痕测定的氧化硅层的表面的最大压入深度为150nm以下；(c)在给予将层叠有氧化硅层的面成为凹的压入位移的带有硬涂层的高分子基板的3点弯曲试验中，氧化硅层的临界压缩率K的值为0.975以下。
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公开(公告)号：CN110461589B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201880019402.2
申请日：2018-03-28
IPC: B32B9/00 , B32B27/00 , B32B27/30 , C09D133/04 , C09D183/04 , C23C16/42
Abstract: 本发明涉及一种带有硬涂层的高分子基板，依次将高分子基板、基底固化层和氧化硅层直接层叠而成，其中，上述基底固化层的厚度为1～20μm，且含有多官能丙烯酸酯10～90重量份、无机氧化物微粒和/或硅化合物水解缩合物90～10重量份，或者含有有机硅化合物的水解缩合物作为主成分，上述氧化硅层在从上述基底固化层与上述氧化硅层的界面沿厚度方向0.04μm的位置满足下述(a1)的条件，且在与上述界面相反侧的表面满足下述(a3)的条件：(a1)由SiOxCyHz化学组成表示时，x为1.93～1.98的范围，y为0.04～0.15的范围，且z为0.10～0.50的范围，(a3)由SiOxCyHz表示化学组成时，x为1.94～2.02的范围，y为0.05～0.16的范围，且z为0.20～0.50的范围。
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公开(公告)号：CN108093628A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201680055280.3
申请日：2016-09-23
Abstract: 本发明实现一种兼具高的耐环境性、耐磨性的带有硬涂层的高分子基板。高分子基板(60)为厚度1～20mm，其表面上的硬涂层(70、80)具备基底固化层(70)和氧化硅层(80)而成，上述基底固化层(70)含有多官能丙烯酸酯10～90重量份、无机氧化物微粒和/或硅化合物水解缩合物90～10重量份且厚度为1～20μm，上述氧化硅层(80)与基底固化层直接接触，通过以有机硅化合物为原料的PE-CVD法而形成，且满足下述(a)～(c)的全部条件：(a)氧化硅层的膜厚为3.5～9.0μm；(b)在最大负荷1mN条件利用纳米压痕测定的氧化硅层的表面的最大压入深度为150nm以下；以及(c)在给予将层叠有氧化硅层的面成为凹的压入位移的带有硬涂层的高分子基板的3点弯曲试验中，氧化硅层的临界压缩率K的值为0.975以下。
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