公开(公告)号：CN114574687A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210227615.2

申请日：2022-03-08

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 王宗申 ,  陈磊 ,  高珊 ,  朱立华 ,  郑宏宇

IPC: C21D10/00 ,  C21D1/34

Abstract: 本发明公开了一种热电复合能场辅助激光冲击强化的装置、系统及方法，涉及激光加工技术领域，包括用于放置工件的加热平台，加热平台安装有能够对工件施加电场的电极，加热平台上方依次设有承接激光束的约束层和能量吸收层。本发明可同时引入热场与电场，实现微尺度激光冲击强化过程中附加热场和电场的精确控制。

公开(公告)号：CN110202163A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910424526.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 王鹏 ,  温广武 ,  魏春城 ,  耿欣 ,  孟凡涛 ,  周立娟 ,  李双 ,  高珊

IPC: B22F9/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构的制备，其制备采用湿化学方法，在制备过程中，以Ag纳米立方体为基体，然后利用电化学置换反应和化学还原制备侧面带凹坑或孔洞的Ag@Au纳米立方体，最后通过电化学置换反应在Ag@Au纳米立方体表面沉积Pd原子，得到侧面带孔洞的Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构。该方法的特征在于：以Ag纳米立方体为基体，以HAuCl4、L-抗坏血酸（C6H8O6）、NaOH、去离子水、十六烷基-三甲基-氯化铵（Cetyltrimethylammonium chloride,CTAC）为原料制备侧面带凹坑或孔洞的Ag@Au纳米立方体，然后在Ag@Au纳米立方体表面以去离子水、十六烷基-三甲基-氯化铵（CTAC）、Na2PdBr4为原料沉积Pd原子，获得Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构。

公开(公告)号：CN110202163B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201910424526.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 王鹏 ,  温广武 ,  魏春城 ,  耿欣 ,  孟凡涛 ,  周立娟 ,  李双 ,  高珊

IPC: B22F9/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构的制备，其制备采用湿化学方法，在制备过程中，以Ag纳米立方体为基体，然后利用电化学置换反应和化学还原制备侧面带凹坑或孔洞的Ag@Au纳米立方体，最后通过电化学置换反应在Ag@Au纳米立方体表面沉积Pd原子，得到侧面带孔洞的Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构。该方法的特征在于：以Ag纳米立方体为基体，以HAuCl4、L‑抗坏血酸（C6H8O6）、NaOH、去离子水、十六烷基‑三甲基‑氯化铵（Cetyltrimethylammonium chloride,CTAC）为原料制备侧面带凹坑或孔洞的Ag@Au纳米立方体，然后在Ag@Au纳米立方体表面以去离子水、十六烷基‑三甲基‑氯化铵（CTAC）、Na2PdBr4为原料沉积Pd原子，获得Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构。

公开(公告)号：CN110028338A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910429128.2

申请日：2019-05-22

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 王鹏 ,  温广武 ,  魏春城 ,  耿欣 ,  孟凡涛 ,  周立娟 ,  李双 ,  高珊

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明涉及一种ZrB2-SiC-B2O3-SiO2-Zr(H3PO4)2涂层的制备方法。该涂层以ZrB2、SiC、B2O3、SiO2、H3PO4为原料，通过调节比例职称浆料后利用刷涂的方式将浆料刷在石墨材料表面，其厚度可以通过多次刷涂和调节浆料粘稠度的方法进行调节。该方法制备工艺简单，适用于复杂形状基体材料。该涂层可以在1500℃的高温氧化环境中使用，显著提高了石墨材料的抗氧化性能，具有良好的高温抗氧化性能。