公开(公告)号：CN117283152A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311040318.8

申请日：2023-08-17

申请人： 山东大学

发明人： 张百涛 ,  梁润泽 ,  姚勇平 ,  聂鸿坤 ,  王荣堃 ,  陈秋 ,  夏金宝 ,  何京良 ,  徐现刚

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K26/06 ,  B23K26/70 ,  B23K26/067 ,  B23K101/40

摘要： 本发明公开一种高效率激光切割碳化硅晶锭的方法及装置，涉及半导体材料激光加工技术和装备技术领域。包括将脉冲激光进行分束，第一束作为改质激光，第二束经过频率变换后作为加热激光；将改质激光与加热激光进行相位延迟和合术，实现改质激光与加热激光同轴同步加工SiC晶锭；改质激光聚焦在SiC晶锭内部进行改质加工，形成改质部与裂纹区；加热激光聚焦在SiC晶锭内部以加热的方式施加热应力，调控裂纹扩展；控制SiC晶锭与激光脉冲的相对移动，按设定路径进行扫描加工，形成改质层与裂纹连结层；以改质层和裂纹连结层为界面，将SiC晶锭的一部分剥离得到晶片。本发明实现了改质激光和加热激光与SiC晶锭的同时空作用，降低了加工耗时、晶圆剥离难度，提高了剥离质量。

公开(公告)号：CN118682323A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410787274.3

申请日：2024-06-18

申请人： 山东大学

发明人： 王荣堃 ,  李碧雪 ,  徐现刚 ,  陈秋 ,  李树强 ,  张百涛 ,  车林林 ,  张建飞 ,  姚勇平

IPC分类号： B23K26/53 ,  C30B33/00 ,  C30B29/36 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/70

摘要： 本发明公开了一种晶片连续剥离装置及晶片连续剥离方法，包括如下步骤：采用超短脉冲激光在晶锭中形成多个剥离层，相邻剥离层之间的距离为晶片的厚度；将晶锭放置于提升平台上，调整提升平台的高度，使晶锭的最上方剥离层与夹爪的上表面平齐，然后夹爪夹紧晶锭；采用超声部件对晶锭的上表面施加超声，剥离层在超声作用下开裂，将晶片从晶锭上剥离，利用真空吸附部件将晶片从晶锭上移出，进行后续处理；松开夹爪，调整提升平台的高度，采用相同的方法制备后续的晶片。采用该方法可以实现晶片的连续制备，有效提高了晶片的制备效率。

公开(公告)号：CN117139865A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311040310.1

申请日：2023-08-17

申请人： 山东大学

发明人： 聂鸿坤 ,  白蒙 ,  姚勇平 ,  王荣堃 ,  陈秋 ,  梁润泽 ,  夏金宝 ,  张百涛 ,  何京良 ,  徐现刚

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K26/06 ,  B23K101/40

摘要： 本发明公开了一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法，涉及激光制造和半导体技术领域。包括第一次扫描：设置脉冲激光的能量处于第一设定能量，使SiC晶锭内部焦点处形成第一类凹坑，并使第一类凹坑周围产生裂纹，使激光在SiC晶锭内部形成改质层；第二次扫描：设置脉冲激光的能量处于第二设定能量，使SiC晶锭内部焦点处形成第二类凹坑，同时如果焦点附近存在第一次扫描形成的裂纹，可使裂纹进一步拓展，如果焦点附近不存在第一次扫描形成的裂纹，则不会产生新的裂纹；形成均匀的改质层。本发明通过脉冲激光二次扫描以降低激光切片材料损耗、提高切片效率，避免单次激光扫描由碳化硅晶锭光学不均匀性导致部分区域无法有效形成改质层和部分区域改质层过深问题。