公开(公告)号：CN100454519C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200610132138.2

申请日：2006-10-10

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 白竹茂

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108

摘要： 通过使用氮化硅膜103作为掩模在存储器单元区M内以以下状态形成栅沟槽108，所述状态是指通过栅绝缘膜101s、保护膜102以及氮化硅膜103覆盖P型外围电路P区中的和N型外围电路N区中的半导体衬底100。然后在所述栅沟槽108的内壁上形成栅绝缘膜109，并将包含有N型杂质的硅膜110嵌入所述栅沟槽108。然后去除所述氮化硅膜103，在整个表面上形成非掺杂硅膜，在此之后，将P型杂质引入P区上的非掺杂硅膜内，并将N型杂质引入M区和N区上的非掺杂硅膜内。

公开(公告)号：CN1949481A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610132138.2

申请日：2006-10-10

申请人： 尔必达存储器株式会社

发明人： 白竹茂

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108

摘要： 通过使用氮化硅膜103作为掩模在存储器单元区M内以以下状态形成栅沟槽108，所述状态是指通过栅绝缘膜101s、保护膜102以及氮化硅膜103覆盖P型外围电路P区中的和N型外围电路N区中的半导体衬底100。然后在所述栅沟槽108的内壁上形成栅绝缘膜109，并将包含有N型杂质的硅膜110嵌入所述栅沟槽108。然后去除所述氮化硅膜103，在整个表面上形成非掺杂硅膜，在此之后，将P型杂质引入P区上的非掺杂硅膜内，并将N型杂质引入M区和N区上的非掺杂硅膜内。