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公开(公告)号:CN103515358B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201310186281.X
申请日:2013-05-20
Applicant: 富士通株式会社
Inventor: 赤星知幸
IPC: H01L23/544
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L23/544 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/54473 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括:半导体衬底;形成在半导体衬底的与电路形成表面的相反侧的表面上的多个金属端子;以及形成在半导体衬底的与电路形成表面的相反侧的表面上的并且覆盖金属端子的侧表面的至少一部分的树脂,其中金属端子的上表面从树脂中露出。
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公开(公告)号:CN103515358A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310186281.X
申请日:2013-05-20
Applicant: 富士通株式会社
Inventor: 赤星知幸
IPC: H01L23/544
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L23/544 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/54473 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括:半导体衬底;形成在半导体衬底的与电路形成表面的相反侧的表面上的多个金属端子;以及形成在半导体衬底的与电路形成表面的相反侧的表面上的并且覆盖金属端子的侧表面的至少一部分的树脂,其中金属端子的上表面从树脂中露出。
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