公开(公告)号：CN1945801A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610139687.2

申请日：2006-09-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山本知成 ,  久保智裕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明的目的是提供一种能形成高性能MOS晶体管的半导体器件的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在半导体衬底上经栅极绝缘膜形成栅电极(S1)；使用栅电极作为掩模，将杂质引入到半导体衬底中(S7)；将控制扩散的物质引入到半导体衬底中，以控制杂质扩散(S8)；在栅电极的各个侧表面上形成侧壁绝缘膜(S9)；使用栅电极和侧壁绝缘膜作为掩模，将杂质深深地引入半导体衬底中(S10)；通过使用快速热退火法的退火处理激活杂质(S11)；以及通过毫秒退火处理进一步激活杂质(S12)。