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公开(公告)号:CN101083460B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200710105462.X
申请日:2007-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/605 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/02141 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供具有多个压电薄膜谐振器的滤波器。所述多个压电薄膜谐振器各自具有:基板、形成在所述基板上的下电极、形成在所述下电极上的压电膜、以及隔着所述压电膜与所述下电极彼此相对地设置在所述压电膜上的上电极。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第一谐振器:所述第一谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分比所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部更靠外。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第二谐振器:所述第二谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分与所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部基本一致,或者比所述区域的外侧曲部更靠内。
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公开(公告)号:CN100511991C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200610000593.7
申请日:2006-01-11
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H2003/021
Abstract: 压电薄膜谐振器以及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。压电薄膜谐振器包括形成在器件基板上的膜叠层,所述膜叠层包括下电极、设置在器件基板和下电极上的压电膜、以及设置在压电膜上的上电极。上电极和下电极具有从上电极隔着压电膜与下电极交叠处的隔膜延伸的电极引出部分,上电极和下电极的电极引出部分中的至少一个的宽度比该隔膜的宽度窄。
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公开(公告)号:CN101064499A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200710107742.4
申请日:2007-04-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供了一种压电薄膜谐振器和采用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括基板、设在所述基板上的下部电极、设在所述下部电极上的压电膜以及上部电极,该上部电极设在所述压电膜上,从而具有隔着所述压电膜与所述下部电极交叠的部分。所述压电膜的外端的至少一部分比其中所述上部电极和所述下部隔着所述压电膜彼此交叠的相对区域的外端更靠内。
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公开(公告)号:CN1503451A
公开(公告)日:2004-06-09
申请号:CN200310113761.X
申请日:2003-11-21
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/564 , H03H9/0095 , H03H9/1014 , H03H9/568
Abstract: 一种滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路,该滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器。在该滤波器元件中,至少一个串联支路谐振器包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
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公开(公告)号:CN101599468A
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200910137486.2
申请日:2009-04-29
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种电子部件,其能够气密性较高地进行密封并且能实现小型化。本发明的电子部件具有:绝缘基板(10);以倒装的方式安装在绝缘基板(10)上的器件芯片(20);图案(32),其以图案(32)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间具有间隙的方式沿着器件芯片(20)的侧面设置在绝缘基板(10)上;SOG氧化膜(30),其以嵌入在图案(32)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间的间隙中、并且在绝缘基板(10)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间形成有空隙(26)的方式,覆盖器件芯片(20)和图案(32)的侧面。
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公开(公告)号:CN101552094A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200810185049.3
申请日:2008-12-26
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子组件,该电子组件包括:多层陶瓷基底,所述多层陶瓷基底具有在其中形成的穿透电极,并且具有在其上表面上提供的无源元件;绝缘膜,所述绝缘膜被提供在所述多层陶瓷基底上,并且具有在所述穿透电极上方的开口;第一连接端子,所述第一连接端子被提供在所述绝缘膜上以覆盖所述开口,并且被电连接到所述穿透电极;以及第二连接端子,所述第二连接端子被提供在所述绝缘膜的区域上,所述区域不同于所述开口区域。
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公开(公告)号:CN1855711A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610078162.2
申请日:2006-04-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428 , H03H2003/0457
Abstract: 压电薄膜谐振器和具有其的滤波器。压电薄膜谐振器包括置于基板上的下电极、置于下电极上的压电薄膜,以及置于压电薄膜上的上电极。由其中上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间的区域来限定一隔膜区域,并且该隔膜区域具有椭圆形状,并且,下电极还被设置到其中未设有上电极的引出电极和下电极的引出电极的区域中的隔膜区域的外侧。
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公开(公告)号:CN1767380A
公开(公告)日:2006-05-03
申请号:CN200510117007.2
申请日:2005-10-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02149 , H03H9/02118 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428
Abstract: 压电薄膜谐振器及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。一种压电薄膜谐振器,其包括:基板;形成在该基板上的下电极;形成在该下电极和基板上的压电薄膜;以及形成在该压电薄膜上的上电极,该压电薄膜部分地插入在彼此相对的下电极和上电极之间。在这种压电薄膜谐振器中,插入在该上电极和下电极之间的压电薄膜的外部周边的至少一部分与由彼此相对的上电极和下电极形成的区域的外部周边相交叠。
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公开(公告)号:CN1716768A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200510076089.0
申请日:2005-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 压电薄膜谐振器和滤波器及其制造方法。一种压电薄膜谐振器,其包括:器件基板;以及层状体,设置在所述器件基板上,并由下电极、上电极,以及夹在该上电极和下电极之间的压电膜构成。该层状体具有膜部分,其中所述上电极通过所述压电膜与所述下电极彼此重叠,在所述器件基板和所述下电极之间形成穹顶形的间隙,并且该间隙位于该膜部分的下方。
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公开(公告)号:CN1677852A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN200510063776.9
申请日:2005-03-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H3/04 , H03H9/02094 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/0428
Abstract: 谐振器、滤波器以及谐振器的制造。该谐振器包括:设置在基板主表面上的压电薄膜;设置在压电薄膜的第一表面上的第一电极膜;设置在压电薄膜第二表面上的第二电极膜;设置在所述第一电极膜和所述第二电极膜其中之一上的频率调整膜;所述频率调整膜包括膜叠层,该膜叠层包括设置在第一电极膜和第二电极膜其中之一上的第一调整膜,以及设置在第一调整膜上的第二调整膜。第一调整膜用于Δf调整,第二调整膜用于校正滤波器制造工艺中生成的频率偏移。由此,可以准确地控制其中连接有多个谐振器的滤波器的中心频率。
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