公开(公告)号：CN113966552A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202080042854.X

申请日：2020-05-20

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  奥野幸洋 ,  新川高见

IPC: H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种具备包括含有Pb的钙钛矿型氧化物的压电体层的、即使在高湿环境下驱动可靠性也高的压电元件。压电元件在基板上依次具备下部电极层、生长控制层、包含含有铅作为A位的主成分的钙钛矿型氧化物而构成的压电体层、以及上部电极层。生长控制层包含由MdN1‑dOe表示的金属氧化物，M是可置换钙钛矿型氧化物的A位的一种以上的金属元素。将M的电负性设为X时，1.41X‑1.05≤d≤A1·exp(‑X/t1)+y0，A1＝1.68×1012，t1＝0.0306，y0＝0.59958，钙钛矿型氧化物用(Pba1αa2)(Zrb1Tib2βb3)Oc表示，0.5＜a1/(b1+b2+b3)＜1.07。

公开(公告)号：CN102329132B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110175704.9

申请日：2011-06-24

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 直野崇幸 ,  新川高见

IPC: H01L41/18 ,  C04B35/493 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 一种压电膜，其包含具有(100)择优取向的钙钛矿结构、并由下式表示的复合氧化物晶体：Pb1+δ[(ZrxTi1-x)1-yNby]Oz，其中x的值在0＜x＜1的范围之内，y的值在0.13≤y≤0.25的范围之内，δ和z的值在能够获得钙钛矿结构的范围之内，并且以δ＝0且z＝3为标准值，其中，如X射线衍射所测定的，钙钛矿(100)面的衍射峰强度I(100)与钙钛矿(200)面的衍射峰强度I(200)之间的比值满足I(100)/I(200)≥1.25。根据本发明所述的压电膜，可以获得足够的压电特性。另外，本发明还涉及包含所述压电膜的压电器件。

公开(公告)号：CN102555326A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110330981.2

申请日：2011-10-25

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 新川高见

IPC: B32B9/04 ,  C23C14/12 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/162 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  C08K5/5406

Abstract: 本发明公开了一种形成防水膜的方法，包括：薄膜形成步骤，其使用在常温和大气压下为气体的原材料在基础部件上形成薄膜，该薄膜主要具有Si-O键并且具有直接与硅结合的疏水性取代基；照射步骤，其中用激发光照射在所述薄膜形成步骤中获得的所述薄膜，使得所述疏水性取代基保留并且所述薄膜中存在OH基；和施加步骤，其中将硅烷偶联剂施加到所述照射步骤中获得的所述薄膜上。该方法能够廉价地制造防水膜，而不需要包括昂贵热蒸发器的等离子聚合装置。本发明还涉及由该方法形成的防水膜、以及形成有该防水膜的喷墨头的喷嘴板。

公开(公告)号：CN101381101A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810214857.8

申请日：2008-09-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 新川高见 ,  藤井隆满

IPC: C01G29/00 ,  C01G25/00 ,  C04B35/491 ,  C04B35/472

CPC classification number: C04B35/491 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/088 ,  H01G4/1245 ,  H01G7/06 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供钙钛矿型氧化物、铁电体膜及其制备方法、铁电体器件和液体排出装置。在PZT类的钙钛矿型氧化物中，能够在不掺杂烧结助剂或受体离子的情况下，在A位以至少5摩尔％的掺杂浓度掺杂给体离子。所述钙钛矿型氧化物由式(P)：(Pb1－x+δMx)(ZryTi1－y)Oz表示，其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3这样的组成，条件是在能够获得所述钙钛矿结构的范围内，δ值和z值分别可以偏离0和3的标准值。

公开(公告)号：CN112714963A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980053808.7

申请日：2019-07-30

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 新川高见 ,  直野崇幸

IPC: H01L41/187 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/22

Abstract: 一种压电器件(1)及制造方法，在基板(10)上形成由锆钛酸铅系的钙钛矿型氧化物的薄膜构成的压电膜(24)，在还原气氛中对压电膜的第1区域(24A)及第2区域(24B)中至少第1区域照射波长230nm以下的电磁波(R)。由此，对第1区域及第2区域中的压电特性设定差异，将第1区域设为压电常数d31的绝对值及介电损耗tanδ比第2区域的压电常数d31的绝对值及介电损耗tanδ小的区域。

公开(公告)号：CN102329132A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110175704.9

申请日：2011-06-24

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 直野崇幸 ,  新川高见

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  H01L41/18

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 一种压电膜，其包含具有(100)择优取向的钙钛矿结构、并由下式表示的复合氧化物晶体：Pb1+δ[(ZrxTi1-x)1-yNby]Oz，其中x的值在0＜x＜1的范围之内，y的值在0.13≤y≤0.25的范围之内，δ和z的值在能够获得钙钛矿结构的范围之内，并且以δ＝0且z＝3为标准值，其中，如X射线衍射所测定的，钙钛矿(100)面的衍射峰强度I(100)与钙钛矿(200)面的衍射峰强度I(200)之间的比值满足I(100)/I(200)≥1.25。根据本发明所述的压电膜，可以获得足够的压电特性。另外，本发明还涉及包含所述压电膜的压电器件。

公开(公告)号：CN101665908A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200810214850.6

申请日：2008-09-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 新川高见 ,  藤井隆满

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  B41J2/14 ,  H01L41/22 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C14/3407 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/155 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  C23C14/088 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明涉及形成铁电体膜的方法、铁电体膜、铁电体器件和液体排出装置。为了能够在A位掺杂至少5摩尔％的给体离子，在满足式(1)和(2)，或式(3)和(4)的条件下，通过溅射技术在面对具有预定组成的靶(T)的基板(20，B)上形成含有式(P)：(Pb 1-x+δ M x )(Zr y Ti 1-y )O z 的钙钛矿型氧化物的铁电体膜(40)，式(P)中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3的组成，式(1)至(4)中的Ts(℃)表示成膜温度，D(mm)表示所述基板和所述靶之间的间隔距离。400≤Ts(℃)≤500 (1)；30≤D(mm)≤80 (2)；500≤Ts(℃)≤600 (3)；30≤D(mm)≤100 (4)。

公开(公告)号：CN101383395A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810213491.2

申请日：2008-09-08

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 直野崇幸 ,  新川高见 ,  藤井隆满

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  B41J2/14

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种压电特性高，并且耐久性高的压电元件。其中，具有通过被施加电压的变化而伸缩的压电体膜；被配置在压电体膜的一个面上的第1电极；和被配置在与压电体膜的第1电极所被配置的面相反侧的面上的第2电极。压电体膜的主成分，是通过气相成长法在第2电极上形成的PbxByOz，将从与上述第2电极的接触面起，在上述第1电极的方向上距离100nm的部分的x/y，设成0.8以上、1.6以下，B是由以下的至少一个构成：Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe及Ni，并且，设0＜x≤1，0＜y≤1，2.5＜z≤3。

公开(公告)号：CN102555326B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110330981.2

申请日：2011-10-25

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 新川高见

IPC: B41J2/01

CPC classification number: B41J2/162 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  C08K5/5406

Abstract: 本发明公开了一种形成防水膜的方法，包括：薄膜形成步骤，其使用在常温和大气压下为气体的原材料在基础部件上形成薄膜，该薄膜主要具有Si-O键并且具有直接与硅结合的疏水性取代基；照射步骤，其中用激发光照射在所述薄膜形成步骤中获得的所述薄膜，使得所述疏水性取代基保留并且所述薄膜中存在OH基；和施加步骤，其中将硅烷偶联剂施加到所述照射步骤中获得的所述薄膜上。该方法能够廉价地制造防水膜，而不需要包括昂贵热蒸发器的等离子聚合装置。本发明还涉及由该方法形成的防水膜、以及形成有该防水膜的喷墨头的喷嘴板。

公开(公告)号：CN102299253B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110175725.0

申请日：2011-06-24

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 新川高见 ,  直野崇幸 ,  藤井隆满

IPC: H01L41/18 ,  B41J2/045

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明公开了压电膜、压电装置和液体喷出设备。该压电膜具有由多个圆柱晶体构成的圆柱晶体结构，并且包含由下列表达式(P)所表示的钙钛矿氧化物作为主要成分：PbaAb[(ZrcTi1-c)1-dBd]Oe (P)其中，Pb和A是A位置元素，并且A是从由以下元素所构成的组中选择的至少一种元素：Bi、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ca、Sr和Ba；Zr、Ti和B是B位置元素，并且B是从由以下元素所构成的组中选择的至少一种元素：Nb、Ta和Sb；a是铅的量，b是元素A的量，c是Zr/Ti比，d是元素B的量，e是氧的量；a、b和d的值满足a＜1、a+b≥1、以及0＜d＜b；并且e的值在获得钙钛矿结构的范围之内并且e＝3是标准的。